| LEADER |
06642nam a2200337 4500 |
| 001 |
1510282 |
| 041 |
|
|
|a ara
|
| 100 |
|
|
|9 545188
|a دواره، سناء نصير
|e مؤلف
|
| 245 |
|
|
|a الكفاءة الكمية لثنائي النقط الكمية الضوئي InSbBi
|
| 246 |
|
|
|a Quantum Efficiency of InSbBi Quantum -Dot Photodiode
|
| 260 |
|
|
|a الناصرية
|c 2015
|m 1436
|
| 300 |
|
|
|a 1 - 107
|
| 336 |
|
|
|a رسائل جامعية
|
| 502 |
|
|
|b رسالة ماجستير
|c جامعة ذي قار
|f كلية العلوم
|g العراق
|o 0182
|
| 520 |
|
|
|a نال استخدام النقط الكمية في المنطقة الفعالة للكواشف الضوئية شبه الموصلة اهتمام متزايد في السنوات الأخيرة لأنها تمتلك مستويات طاقة منفصلة بالشكل الذي يجعل الحركة الإلكترونية محصورة في كل الأبعاد المكانية الثلاث كما إنها تمتلك كثافة حالات مصغرة. لذلك، فإنها تجمع بين خصائص الذرات الطبيعية (أو الجزيئات) والبلورات. ومن المهم جدا صنع كواشف بمنطقة فعالة من النقط الكمية للاستفادة من فوائد هذه التراكيب. إن طيف المنطقة تحت الحمراء القريبة أصبح مهما للاستخدامات العسكرية، السيطرة الصناعية، التشخيص الطبي وحاجات مدنية أخرى. هذا الأمر ممكن مع كواشف (HgCdTe) II-V-لكنها تعاني من عيوب رئيسية. لذلك برزت الكواشف III-V ذات الأساس انتيمون (Sb-based) لكنها لم تصل إلى نهاية الطول الموجي للأشعة تحت الحمراء البعيدة. يعتبر البزموث Bi العنصر الأثقل في عناصر المجموعة V-من الجدول الدوري، حيث إن إضافته إلى العنصر المضيف تؤدي إلى انخفاض كبير في فجوة الطاقة وتقليل اعتمادها على درجة الحرارة. لذلك فإن كواشف III-V-Bi تستطيع الوصول إلى المدى (8-12 mμ). وبما أن البحوث الحديثة تكاد تخلو تماما من دراسة النقط الكمية الحاوية على البزموث، لذلك تناول هذا العمل دراسة النقط الكمية ذات التركيب (InSb1-x Bix / InGaAs/ AlGaAs). في المقدمة، تطرقنا للثنائي الباعث للضوء وتعرفنا على الكاشف الضوئي ذي النقط الكمية. تعرفنا على البزموث وخصائصه ومدى التغيير الهائل الذي يمكن أن يحدثه عند إضافته إلى التراكيب النقطية الكمية. أولا في الفصل الثاني، قمنا بحساب مستويات الحزم الثانوية لحزمتي التكافؤ والتوصيل للنقط الكمية وبنسب مولية مختلفة من البزموث حيث لاحظنا أنه كلما ازدادت النسبة المولية للبزموث قل عدد مستويات الحزم الثانوية لحزمة التكافؤ. ثانيا في الفصل الثاني، استخرجنا معاملات الامتصاص للمناطق n وp وكذلك منطقة النضوب عند تشويب المنطقتين (n وp). ولاحظنا الاختلاف الكبيرة في معاملات الامتصاص بوجود وعدم وجود البزموث، وكذلك الاختلافات في معاملات الامتصاص عند اختلاف أنواع التشويب، مستويات الطاقة ومعاملات الامتصاص. ثالثا، ولأن الكفاءة الكمية هي إحدى أهم المتغيرات لتقييم نوعية الكاشف الضوئي، قمنا باشتقاق علاقتين رياضية لحساب كثافة تيار الإلكترونات الأقلية في المنطقة p والفجوات الأقلية في المنطقة n بعد أن افترضنا نموذج على شكل قرص كمي واستخدمناهما بالإضافة إلى علاقة كثافة التيار الضوئي في منطقة النضوب في حساب الكفاءة الكمية للثنائي الضوئي. رابعا، قمنا بحساب الكفاءة الكمية لتراكيب النقط الكمية، أولا-بدون إضافة عنصر البزموث. ثم عند إضافة البزموث وبنسب مولية مختلفة للبزموث عندما تكون منطقة التشويب n من النقط الكمية ومنطقة p هي منطقة الحاجز أولا، ثم عندما تكون تشويب المنطقتين n وp من النقط الكمية. بعدها أجرينا تغييرات على أبعاد القرص الكمي، إذ أن القياسات الأولية التي أجريناها كانت على قرص أبعاده (13nm, h=3nm=p) حيث أن (p, h) هما ارتفاع القرص ونصف قطره على الترتيب. غيرنا نصف القطر لعدة قيم مع تثبيت الارتفاع وأجرينا قياسات معاملات الامتصاص والكفاءة الكمية بنفس الطرق السابقة ثم أجرينا نفس العملية لكن بتثبيت نصف قطر القرص الكمي وتغيير ارتفاعه وفي كلا الحالتين كان التشويب للمنطقتين (n وp) معا. وجدنا إن إضافة البزموث إلى حد (x=0.04) يزيد قيمة الكفاءة الكمية وبعدها تؤدي إضافة البزموث إلى زيادة الطول الموجي للكاشف.
|
| 653 |
|
|
|a النقط الكمية
|a الكاشف الضوئي
|a مادة البزموث
|
| 700 |
|
|
|9 545056
|a جاسم، أمين حبيب السيد
|g Jassim, Amin H. Al-Sayed
|e مشرف
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-T.pdf
|y صفحة العنوان
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-A.pdf
|y المستخلص
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-C.pdf
|y قائمة المحتويات
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-F.pdf
|y 24 صفحة الأولى
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-1.pdf
|y 1 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-2.pdf
|y 2 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-3.pdf
|y 3 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-4.pdf
|y 4 الفصل
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-O.pdf
|y الخاتمة
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-R.pdf
|y المصادر والمراجع
|
| 856 |
|
|
|u 9805-016-006-0182-S.pdf
|y الملاحق
|
| 930 |
|
|
|d n
|
| 995 |
|
|
|a Dissertations
|
| 999 |
|
|
|c 1009526
|d 1009526
|
