Synthesis and Characterization of CuO Nanostructures and CuO / p-Si-Schottky Diodes by Solution Growth
| العنوان بلغة أخرى: |
تحضير ودراسة خصائص CuO نانوي التركيب و CuO / p-Si شوتكي دايود بواسطة نمو المحلول |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | علي، أصالة حسين (مؤلف) |
| مؤلفين آخرين: | الخياط، عادل حبيب عمران (مشرف) |
| التاريخ الميلادي: |
2017
|
| موقع: | الكوفة |
| التاريخ الهجري: | 1439 |
| الصفحات: | 1 - 145 |
| رقم MD: | 1020270 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة الكوفة |
| الكلية: | كلية العلوم |
| الدولة: | العراق |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| المستخلص: |
في هذا البحث حضرت أغشية CuO على الركيزة الزجاجية من خلال طريقة امتزاز وتفاعل طبقة أيونية متعاقبة (SILAR) وباختلاف زمن الترسيب، عدد الدورات، تغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين. وقد تم فحص الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية للأغشية الرقيقة من CuO وتحليلها. نتائج حيود الأشعة السينية (XRD) تشير إلى أن تركيب جميع الأغشية الرقيقة المحضرة ذات طبيعة متعددة التبلور ذات طور أحادي الميل (monoclinic) ولها تبلور منخفض عند التغير في زمن الترسب، عدد الدورات، تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين، المعززة لبلورية الأغشية. وأظهرت نتائج مجهر القوى الذرية (AFM) لأغشية CuO الرقيقة المحضرة على ركائز الزجاج ذات بنية سطح صقيله. سجلت أطياف الامتصاصية والنفاذية في مدى الطول ألموجي nm (400- 1100)، والتي أظهرت أن حافات الامتصاص لأغشية CuO أزيحت نحو الأطوال الموجية الأطول (أزاحه حمراء) وأن قيم فجوة الطاقة البصرية للانتقال المباشر المسموح بها تقع ضمن المدى من eV(1.7- 2.2) تبعا للمتغيرات. بالإضافة إلى ذلك، تم دراسة تأثير (زمن الترسب، وعدد الدورات، وتغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH، ودرجة حرارة التلدين على الثوابت البصرية (معامل الامتصاص، الانعكاسية، معامل الانكسار ومعامل الخمود). أظهرت دراسة الخصائص الكهربائية للكاشف الضوئي MSM Ni/ CuO/ p-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي eV (0.235، 0.308، 0.305) عند زيادة عدد دورات الأغشية (5، 10، 15) على التوالي. وأظهرت الدراسة أن الخواص الكهربائية ل pn-junction Ni/ CuO/ n-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي كانت eV (0.723، 0.736، 0.716) عند زيادة عدد دورات الأغشية المحضرة (5، 10، 15) على التوالي. |
|---|
عناصر مشابهة
-
Synthesis and Characterization of Co-Doped Copper Oxide "CuO" Nanoparticles
بواسطة: Gumaa, Ibrahim Ahmed Alafif منشور: (2020) -
Synthesis and Characterization of CuO Preparedby Sol – Gel Route
بواسطة: Mohammed, Hamdna Alla Abd Alla Madani منشور: (2021) -
Synthesis and characterization of Zinc "Zn" doped by Copper Oxide "CuO" nanoparticles and it's Applications in Dye Sensitized Solar Cells "DSSCs"
بواسطة: Sharafeldin, Mahjoub Osman Musa منشور: (2019) -
CuO Films Prepared by Chemical SprayPyrolysis and Studythe Structural and Optical Properties
بواسطة: Hussein, Anwar Nazar منشور: (2015) -
Synthesis and Application of Tio2 Core Shell Nanocomposite Cuo/Tio2 and Ag2o/Tio2 Photoanode for Dye Sensitized Solar Cell
بواسطة: Alamin, Hdeel Alamin Elbushra منشور: (2020)
