ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Synthesis and Characterization of CuO Nanostructures and CuO / p-Si-Schottky Diodes by Solution Growth

العنوان بلغة أخرى: تحضير ودراسة خصائص CuO نانوي التركيب و CuO / p-Si شوتكي دايود بواسطة نمو المحلول
المؤلف الرئيسي: علي، أصالة حسين (مؤلف)
مؤلفين آخرين: الخياط، عادل حبيب عمران (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2017
موقع: الكوفة
التاريخ الهجري: 1439
الصفحات: 1 - 145
رقم MD: 1020270
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة الكوفة
الكلية: كلية العلوم
الدولة: العراق
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 04029nam a22003137a 4500
001 1515923
041 |a eng 
100 |9 552870  |a علي، أصالة حسين  |e مؤلف 
245 |a Synthesis and Characterization of CuO Nanostructures and CuO / p-Si-Schottky Diodes by Solution Growth 
246 |a تحضير ودراسة خصائص CuO نانوي التركيب و CuO / p-Si شوتكي دايود بواسطة نمو المحلول 
260 |a الكوفة  |c 2017  |m 1439 
300 |a 1 - 145 
336 |a رسائل جامعية 
502 |b رسالة ماجستير  |c جامعة الكوفة  |f كلية العلوم  |g العراق  |o 0021 
520 |a في هذا البحث حضرت أغشية CuO على الركيزة الزجاجية من خلال طريقة امتزاز وتفاعل طبقة أيونية متعاقبة (SILAR) وباختلاف زمن الترسيب، عدد الدورات، تغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين. وقد تم فحص الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية للأغشية الرقيقة من CuO وتحليلها. نتائج حيود الأشعة السينية (XRD) تشير إلى أن تركيب جميع الأغشية الرقيقة المحضرة ذات طبيعة متعددة التبلور ذات طور أحادي الميل (monoclinic)‏ ولها تبلور منخفض عند التغير في زمن الترسب، عدد الدورات، تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH ودرجة حرارة التلدين، المعززة لبلورية الأغشية. وأظهرت نتائج مجهر القوى الذرية (AFM) لأغشية CuO الرقيقة المحضرة على ركائز الزجاج ذات بنية سطح صقيله. سجلت أطياف الامتصاصية والنفاذية في مدى الطول ألموجي nm (400- 1100)، والتي أظهرت أن حافات الامتصاص لأغشية CuO أزيحت نحو الأطوال الموجية الأطول (أزاحه حمراء) وأن قيم فجوة الطاقة البصرية للانتقال المباشر المسموح بها تقع ضمن المدى من ‎ eV(1.7- 2.2) تبعا للمتغيرات. بالإضافة إلى ذلك، تم دراسة تأثير (زمن الترسب، وعدد الدورات، وتغير تركيز الأمونيا، تغير قيم ال pH، ودرجة حرارة التلدين على الثوابت البصرية (معامل الامتصاص، الانعكاسية، معامل الانكسار ومعامل الخمود). أظهرت دراسة الخصائص الكهربائية للكاشف الضوئي MSM Ni/ CuO/ p-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي eV‏ (0.235، 0.308، 0.305) عند زيادة عدد دورات الأغشية (5، 10، 15) على التوالي. وأظهرت الدراسة أن الخواص الكهربائية ل pn-junction Ni/ CuO/ n-Si المرسبة، أن مقدار حاجز شوتكي كانت eV (0.723، 0.736، 0.716) عند زيادة عدد دورات الأغشية المحضرة (5، 10، 15) على التوالي. 
653 |a المركبات الكيميائية  |a المواد النانوية  |a ركائز الزجاج  |a الأشعة السينية 
700 |9 552851  |a الخياط، عادل حبيب عمران  |g Alkhayatt, Adel H. Omran  |e مشرف 
856 |u 9805-015-012-0021-T.pdf  |y صفحة العنوان 
856 |u 9805-015-012-0021-A.pdf  |y المستخلص 
856 |u 9805-015-012-0021-C.pdf  |y قائمة المحتويات 
856 |u 9805-015-012-0021-F.pdf  |y 24 صفحة الأولى 
856 |u 9805-015-012-0021-1.pdf  |y 1 الفصل 
856 |u 9805-015-012-0021-2.pdf  |y 2 الفصل 
856 |u 9805-015-012-0021-3.pdf  |y 3 الفصل 
856 |u 9805-015-012-0021-4.pdf  |y 4 الفصل 
856 |u 9805-015-012-0021-R.pdf  |y المصادر والمراجع 
930 |d n 
995 |a Dissertations 
999 |c 1020270  |d 1020270 

عناصر مشابهة