ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Fabrication of p-Si / ZnO Thin...>الوصف

Fabrication of p-Si / ZnO Thin Films Solar Cell by CVD at Different Substrate Temperatures

العنوان بلغة أخرى: تصنيع خلية شمسية للأغشية الرقيقة p-Si / ZnO بواسطة CVD عند درجات حرارة أرضية مختلفة
المصدر: مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: Najim, Suha Abdullah (Author)
المجلد/العدد: مج15, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2019
الصفحات: 3167 - 3178
ISSN: 1992-7452
رقم MD: 1067958
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الخلايا الشمسية | الأغشية الرقيقة | فيزياء الأجسام الصلبة
كلمات المؤلف المفتاحية:
أوكسيد الخارصين | الطبقة الماصة p-Si | وصلة P-N | Zinc Oxide | p-Si Absorber Layer | P-N Junction
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: Zinc Oxide is a prominent candidate to be used a window layer in Si based solar cell. In this study, fabricated solar cell parameters with different substrate temperatures (400,450,500 ˚C) of Si/ZnO have been prepared by chemical vapor deposition method to find out the higher conversion. Moreover, it is found that Isc, Voc and η are increased for the substrate temperature increase at 500˚C. The best efficiency value calculated was 9.47% at substrate temperature 500˚C. Experimentally the electrical properties measured also ρ, σ and Φb as Si substrate temperature increased until 500˚C, the electrical resistivity of Si/ZnO solar cell was (0.231 ohm.m) at 400 ˚C and it is increased as Si substrate temp. increase, which leads to the decrease of conductivity.

أوكسيد الخارصين المرشح البارز الذي يستخدم كطبقة نافذة في قاعدة السيلكون للخلية الشمسية. في هذه الدراسة تم تحضير الخلية الشمسية المصنعة عند درجات حرارة الأرضية المختلفة (400. 450. 500˚C) ل Si/ZnO بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي لإيجاد معاملات التحويل العالية. كذلك وجد أن Voc وŋ Isc, تزداد بزيادة درجة حرارة الأرضية عند .500˚Cحسبت أفضل قيمة كفاءة %9.47 عند درجة حرارة أرضية ˚C 500. قيست الخصائص الكهربائية العملية أيضا ρ, σ وΦb بزيادة درجة حرارة أرضية SI لغاية C˚500، وكانت المقاومية الكهربائية للخلية الشمسية Si/ZnO) 0.231 (ohm.m عند˚C 400 وتزداد بزيادة درجة حرارة الأرضية التي تؤدي إلى نقصان التوصيلية.
ISSN: 1992-7452

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.