ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Fabrication of p-Si / ZnO Thin...>مارك

Fabrication of p-Si / ZnO Thin Films Solar Cell by CVD at Different Substrate Temperatures

العنوان بلغة أخرى: تصنيع خلية شمسية للأغشية الرقيقة p-Si / ZnO بواسطة CVD عند درجات حرارة أرضية مختلفة
المصدر: مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: Najim, Suha Abdullah (Author)
المجلد/العدد: مج15, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2019
الصفحات: 3167 - 3178
ISSN: 1992-7452
رقم MD: 1067958
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الخلايا الشمسية | الأغشية الرقيقة | فيزياء الأجسام الصلبة
كلمات المؤلف المفتاحية:
أوكسيد الخارصين | الطبقة الماصة p-Si | وصلة P-N | Zinc Oxide | p-Si Absorber Layer | P-N Junction
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03105nam a22002417a 4500
001 1806348
041 |a eng 
044 |b العراق 
100 |9 577278  |a Najim, Suha Abdullah  |e Author 
245 |a Fabrication of p-Si / ZnO Thin Films Solar Cell by CVD at Different Substrate Temperatures 
246 |a تصنيع خلية شمسية للأغشية الرقيقة p-Si / ZnO بواسطة CVD عند درجات حرارة أرضية مختلفة 
260 |b جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية  |c 2019 
300 |a 3167 - 3178 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |b Zinc Oxide is a prominent candidate to be used a window layer in Si based solar cell. In this study, fabricated solar cell parameters with different substrate temperatures (400,450,500 ˚C) of Si/ZnO have been prepared by chemical vapor deposition method to find out the higher conversion. Moreover, it is found that Isc, Voc and η are increased for the substrate temperature increase at 500˚C. The best efficiency value calculated was 9.47% at substrate temperature 500˚C. Experimentally the electrical properties measured also ρ, σ and Φb as Si substrate temperature increased until 500˚C, the electrical resistivity of Si/ZnO solar cell was (0.231 ohm.m) at 400 ˚C and it is increased as Si substrate temp. increase, which leads to the decrease of conductivity. 
520 |a أوكسيد الخارصين المرشح البارز الذي يستخدم كطبقة نافذة في قاعدة السيلكون للخلية الشمسية. في هذه الدراسة تم تحضير الخلية الشمسية المصنعة عند درجات حرارة الأرضية المختلفة (400. 450. 500˚C) ل Si/ZnO بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي لإيجاد معاملات التحويل العالية. كذلك وجد أن Voc وŋ Isc, تزداد بزيادة درجة حرارة الأرضية عند .500˚Cحسبت أفضل قيمة كفاءة %9.47 عند درجة حرارة أرضية ˚C 500. قيست الخصائص الكهربائية العملية أيضا ρ, σ وΦb بزيادة درجة حرارة أرضية SI لغاية C˚500، وكانت المقاومية الكهربائية للخلية الشمسية Si/ZnO) 0.231 (ohm.m عند˚C 400 وتزداد بزيادة درجة حرارة الأرضية التي تؤدي إلى نقصان التوصيلية. 
653 |a الخلايا الشمسية  |a الأغشية الرقيقة  |a فيزياء الأجسام الصلبة 
692 |a أوكسيد الخارصين  |a الطبقة الماصة p-Si  |a وصلة P-N  |b Zinc Oxide  |b p-Si Absorber Layer  |b P-N Junction 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 121  |e College of Basic Education Researches Journal  |f Maǧallaẗ abḥāṯ kulliyyaẗ al-tarbiyaẗ al-asāsiyyaẗ  |l 004  |m مج15, ع4  |o 1127  |s مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية  |t   |v 015  |x 1992-7452 
856 |u 1127-015-004-121.pdf 
930 |d n  |p y  |q n 
995 |a EduSearch 
999 |c 1067958  |d 1067958 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.