ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير درجة حرارة الترسيب على ا...>الوصف

تأثير درجة حرارة الترسيب على الأداء الفيزيائي للمفرق المتباين "n-ZnO/p-Si"

العنوان بلغة أخرى: Effect of Deposition Temperature on the Physical Performance of n-ZnO/p-Si Heterojunction
المصدر: مجلة التربية والعلم
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: محمد، ياسر حسين (مؤلف)
المجلد/العدد: مج29, ع2
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2020
الصفحات: 118 - 132
DOI: 10.33899/edusj.2019.126043.1017
ISSN: 1812-125X
رقم MD: 1201793
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
أوكسيد الزنك | المفرق المتباين | الثنائيات المتباينة | درجة حرارة الترسيب | الترسيب البخاري الكيميائي | الخصائص الفيزيائية | الخصائص المورفولوجية | الخصائص الضوئية
كلمات المؤلف المفتاحية:
الثنائيات المتباينة | الخصائص الكهربائية | درجة حرارة الترسيب | الترسيب البخاري الكيميائي | Heterojunction Diodes | Electrical Characteristics | Deposition Temperature | Chemical Vapor Deposition
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم إجراء دراسة مقارنة للخصائص الفيزيائية لثنائي المفرق المتباين n—ZnO/p-Si، كدالة لدرجة حرارة الترسيب في المدى (º C600-300). أغشية أوكسيد الزنك (ZnO) الرقيقة الموصلة الشفافة تم ترسيبها بتقنية الترسيب البخاري الكيميائي عند الضغط الجوي الاعتيادي (APCVD) على أرضيات من السليكون (p-Si(I00) والزجاج. كذلك تمت دراسة تأثير تغيير درجة حرارة الترسيب على الخصائص المورفولوجية والضوئية لأغشية (zno). إن قيم كلاً من معدل خشونة السطح (من 62.8 إلى 18.8 نانومتر) والجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة (من 78.2 إلى 24 نانومتر) لأغشية (ZnO) تقل مع زيادة درجة حرارة الترسيب. أظهرت نتائج قياس النفاذية البصرية شفافية جيدة ضمن نطاق الأطوال الموجية المرئية للأغشية المحضرة عند درجة حرارة أعلى من cº400. كشفت خصائص تيار -فولتية للثنائيات المتباينة سلوكاً تقويمياً والذي يعتمد على درجة حرارة الترسيب. كما تأثرت المعلمات الكهربائية للثنائيات Si-ZnO/p- n بدرجة حرارة الترسيب. تمتلك الثنائيات المحضرة عند درجة حرارة أعلى من ºc400 تيار تشبع عكسي منخفض، ونسبة تقويم عالية مقارنة بتلك المصنعة عند درجة حرارة منخفضة نسبياً مثل cº 300 أو cº 400. يمكن أن تكون مثل هذه الثنائيات المتباينة Si-ZnO/p- nالمحضرة عند درجة حرارة منخفضة والتي تمتلك تيار تشبع عكسي منخفض مناسبة لتطبيقات الكشف الضوئي.

Comparative study of the physical characteristics of n-ZnO/p-Si heterojunction diode has been done as a function of deposition temperature in the range of 300-600 °C. Transparent conducting (TC) Zinc Oxide (ZnO) thin films were deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) technique on the p-Si(100) and glass substrates. Also, the influences of different deposition temperature on the morphology and optical properties of ZnO films were studied. Both the average surface roughness (from 62.8 to 18.8 nm) and the root mean square (from 78.2 to 24 nm) of ZnO films were decreased with the increase in the deposition temperature. Optical transmittance measurement results exhibited good transparency within the visible wavelength range for the films prepared at a temperature above 400 ºC. The current-voltage (I-V) characteristics of the heterojunction diodes exhibited rectification behavior and depend on the deposition temperature. The electrical parameters of the n-ZnO/p-Si heterojunctions were also affected by the deposition temperature. The diodes prepared at a temperature above 400 ºC were possessed lower reverse saturation current and high rectification ratio compared to those fabricated at a relatively lower temperature such as 300 ºC or 400 °C. Such low a temperature grown n-ZnO/p-Si heterojunction diodes with lower reverse saturation current could be suitable for photo-detection applications.
ISSN: 1812-125X

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.