ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







يجب تسجيل الدخول أولا

Influence of Hydrogen Content on Structural and Optical Properties of Doped Nano-A-Si:H/A-Ge: H Multilayers Used in Solar Cells

المصدر: مجلة التربوي
الناشر: جامعة المرقب - كلية التربية بالخمس
المؤلف الرئيسي: Saleh, Ibrahim A. (Author)
مؤلفين آخرين: Saleh, Abdelnaser S. (Co-Author) , Elzawiei, Youssif S. M. (Co-Author) , Boukhrais, Farag Gait Abdelrhman (Co-Author)
المجلد/العدد: ع20
محكمة: نعم
الدولة: ليبيا
التاريخ الميلادي: 2022
الشهر: يناير
الصفحات: 683 - 693
ISSN: 2011-421X
رقم MD: 1249564
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
كلمات المؤلف المفتاحية:
Doped | Nano-Multilayers (Nmls) | A-Si:H/A-Ge | (Hydrogen Content (NH | Structure | Crystallization | Optical Properties
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

2

حفظ في:
LEADER 02133nam a2200253 4500
001 2000063
041 |a eng 
044 |b ليبيا 
100 |9 625030  |a Saleh, Ibrahim A.  |e Author 
245 |a Influence of Hydrogen Content on Structural and Optical Properties of Doped Nano-A-Si:H/A-Ge:  |b H Multilayers Used in Solar Cells 
260 |b جامعة المرقب - كلية التربية بالخمس  |c 2022  |g يناير 
300 |a 683 - 693 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |b Doped-nanomultilayers of a-Si:H/a-Ge:H thin films are used as a new type of narrow band gap materials for amorphous silicon–based solar cells. High efficiency solar cells are necessary to convert solar energy to electrical energy at low cost until. Doped-nanomultilayers of a-Si:H/a-Ge: H were prepared at 200◦C by alternating deposition from SiH4 and GeH4 plasmas in a computer-controlled four chamber glow-discharge deposition system with capacitively coupled diode reactors . IR, XRD and SEM were used to study the structural changes after annealing at 300 for 8h. The annealed doped-nanomultilayers exhibit surface and bulk degradation with formation of bumps and craters. The measurements results reveal that the optical energy gap is decreased with increasing the annealing temperature and/or time is partially due to formation of H bubbles in the Ge layers and partially due to crystallization effects. 
653 |a الطاقة الكهربائية  |a الطاقة الشمسية  |a الطبقات النانوية  |a الخلايا الشمسية 
692 |b Doped  |b Nano-Multilayers (Nmls)  |b A-Si:H/A-Ge  |b (Hydrogen Content (NH  |b Structure  |b Crystallization  |b Optical Properties 
700 |9 666699  |a Saleh, Abdelnaser S.  |e Co-Author 
700 |9 666700  |a Elzawiei, Youssif S. M.  |e Co-Author 
700 |9 666703  |a Boukhrais, Farag Gait Abdelrhman  |e Co-Author 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 038  |l 020  |m ع20  |o 1568  |s مجلة التربوي  |t Educational Journal  |v 000  |x 2011-421X 
856 |u 1568-000-020-038.pdf 
930 |d y  |p y  |q n 
995 |a EduSearch 
999 |c 1249564  |d 1249564