| LEADER |
03392nam a22002297a 4500 |
| 001 |
2032189 |
| 041 |
|
|
|a eng
|
| 044 |
|
|
|b ليبيا
|
| 100 |
|
|
|9 679498
|a Mohamed, Esmeel Hasan T
|e Author
|
| 245 |
|
|
|a Performance Analysis of Triple Junction GaInP/GaAs/Ge Tandem Solar Cells from Numerical Simulation
|
| 246 |
|
|
|a تحليل أداء الخلايا الشمسية ثلاثية الطبقات GaInP/GaAs/Ge من خلال المحاكاة العددية
|
| 260 |
|
|
|b جامعة سرت - نقابة أعضاء هيئة التدريس
|c 2022
|g مايو
|
| 300 |
|
|
|a 289 - 296
|
| 336 |
|
|
|a بحوث ومقالات
|b Article
|
| 520 |
|
|
|a في هذه الدراسة تم تحليل أداء خلية شمسية تتكون من ثلاث طبقات GaInp/ GaAs/ Ge باستخدام برنامج تحليل محاكاة الهياكل الإلكترونية الدقيقة والفوتونية (AMPS-1D). تم دراسة تأثير سماكة الطبقة على أداء الخلية الشمسية ثلاثية الوصلات بشكل معمق. مع انخفاض سمك طبقة GaInP تزداد الكفاءة، وعند زيادة سماكة طبقة n-GaAs تزداد الكفاءة بشكل طفيف. p-GaAs يعطي مدى السماكة من 500 نانو متر إلى 3500 نانو متر تباينا في الكفاءة يبلغ حوالي 1%. تغيير سماكة p-GaInP وn-GaInP يؤثر بشكل كبير في كفاءة الخلية الشمسية بينما لا يظهر الجرمانيوم (Ge) أي استجابة عند تغير السُمك. يشير التحسين الذي تم تحقيقه في هذه الدراسة إلى بنية نموذج عملي للحصول على خلايا شمسية عالية الكفاءة قائمة على GaInP / GaAs / Ge.
|b The research aims to analyses the performance of triple junction GaInP/ GaAs/ Ge tandem solar cells. In this study the Analysis of Microelectronic and Photonic Structures (AMPS-1D) simulator has been used to estimate the effect layer thickness on the performance cells. The effect of layer thickness on the performance of triple junction GaInP/ GaAs/ Ge solar cell has been investigated elaborately. As the layer thickness of GaInP decreases, the efficiency rises. Meanwhile, increasing the n doped GaAs layer thickness slightly enhances the efficiency. The p doped GaAs layer thickness range from 500 nm to 3500 nm gives a variation in efficiency of about 1%. The results clearly indicate that the thickness variation of p-GaInP and n-GaInP significantly change the efficiency of the solar cell. The n doped GaAs layer thickness gives higher effect of the efficiency compared to p doped GaAs layer thickness. Both n and p doped Germanium (Ge) don’t show any response when the thickness changed. The optimization achieved here indicates model structure for practical usage to achieve high efficiency GaInP/ GaAs/ Ge based solar cells.
|
| 653 |
|
|
|a الخلايا الشمسية
|a المحاكاة العددية
|a الطاقة المتجددة
|a توليد الكهرباء
|
| 700 |
|
|
|9 679500
|a Hamouda, Abdualbast A. Mohmed
|e Co-Author
|
| 773 |
|
|
|4 العلوم الإنسانية ، متعددة التخصصات
|6 Humanities, Multidisciplinary
|c 005
|l 012
|m ع12
|o 2094
|s مجلة البيان العلمية
|v 000
|
| 856 |
|
|
|u 2094-000-012-005.pdf
|
| 930 |
|
|
|d y
|p y
|q n
|
| 995 |
|
|
|a HumanIndex
|
| 999 |
|
|
|c 1277246
|d 1277246
|
