ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > High efficiency AL1Ga, AS/GaAs...>الوصف

High efficiency AL1Ga, AS/GaAs quantum wells solar cells

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Al Shekhli, Belal A. (Author)
المجلد/العدد: ع 6
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2011
الصفحات: 1 - 55
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426318
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الخلايا الشمسية | الطاقة الشمسية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم ايجاد تعبير تحليلي لاكبر كفاءة تحويل للخلية الشمسية ذات الحجيرات الكمية والنظام المتدرج في فجوة الطاقة تم تصميم برنامج حاسوبي لكي يماثل كثافة التيار والاستجابة الطيفية وكفاءة التحويل للخلية المفترضة. .AlxGa١-xAs/GaAs للتطوير هذا النموذج، تم دراسة تأثير عدد الحجيرات. العوامل الكهروضوئية التي تم الحصول عليها لخلية تحوي ٥٠ حجيرة كمية . AM١.٥D تحت ظروف الطيف الشمسي٥٥= Jsc % 52.8 =mA/cm٢, Voc= .٩٢٤ V, FF= .٨٧٥ and ηهي تم الحصول على تعزيز ملحوض في تيار الدائرة القصيرة وكفاءة التحويل.

An analytical expression for the maximum obtainable photoconversion efficiency of graded band gap AlxGa١-xAs/GaAs quantum wells solar cell was presented. Computer program WELL was designed to simulate the photocurrent density, spectral response and conversion efficiency to the proposed model. To improve this model, the effect of the number wells was studied. The photovoltaic parameters obtained from this model with ٥٠ quantum wells are Jsc =٥٥ mA/cm٢, Voc= .٩٢٤ V, FF= .٨٧٥ and η= ٥٢.٨ % under AM١.٥D solar spectrum conditions. Significant enhancements in short-circuit current and conversion efficiency have been obtained.
وصف العنصر: مستخلص الدراسة باللغة العربية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.