تم إضافة تقرير جديد 2024
ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا









الرئيسية > بحث>High Sensitivity of Nanocrysta...>الوصف

High Sensitivity of Nanocrystalline SnO2-Y2O3 Thin Films Based UV-Detector Prepared Using Chemical Bath Deposition

العنوان بلغة أخرى: الحساسية العالية للأغشية SnO2-Y2O3 النانوية البلورية للكشف عن الأشعة فوق البنفسجية المحضرة باستخدام ترسيب الحمام الكيميائي الرقيقة من مادة
المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: كاظم، عماد حسين (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Kadhim, Imad H.
مؤلفين آخرين: عبدالغفور، نبيل محمد (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع126
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2024
الشهر: آب
الصفحات: 104 - 115
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 1531161
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الأشعة فوق البنفسجية | الترسيب الكيميائي | الترسيب البطيء | ثاني أكسيد القصدير
كلمات المؤلف المفتاحية:
هيكل الروتيل رباعي الزوايا | كاشفة الأشعة فوق البنفسجية | الحساسية | SnO2-Y2O3 | Tetragonal Rutile Structure | (UV PDs) | Sensitivity
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية رقيقة من البلورات النانوية SnO₂-Y₂ O₃ وبنقاوة عالية من خلال استخدام طريقة ترسيب الحمام الكيميائي على أرضيات SiO₂/Si. تم استخدام حيود الأشعة السينية، والمجهر الإلكتروني لمسح الانبعاث الميداني، والتحليل الطيفي للأشعة السينية المشتتة من الطاقة لتحليل التركيب الهيكلي والسطحي للعينة الملدنة عند 500 درجة مئوية لمدة ساعتين في الهواء. عند التلدين عند 500 درجة مئوية، تم الحصول على تبلور الفيلم SnO₂-Y₂ O₃ ذات التركيب هيكل روتيل رباعي الزوايا. تم استخدام الغشاء الرقيق SnO₂ النانوي بشكل فعال كجهاز كاشف ضوئي للأشعة فوق البنفسجية. أظهر كاشف الأشعة فوق البنفسجية المعتمد على الغشاء الرقيق النانوي البلوري SnO₂-Y₂ O₃ أداء استشعاريًا كبيرًا، حيث تقترب قيم الحساسية والاستجابة من 2988% وA / W 3.247 عند (3 V) من الفولتية المطبقة. نظرًا لاستقراره وموثوقيته المتميزتين، يعد مستشعر الأغشية الرقيقة SnO-Y₂O₃ البلوري النانوي هو الخيار الأمثل لتطبيقات الصور الإلكترونية التجارية.

Nanocrystalline Tin dioxide - Yttrium oxide (NC SnO₂-Y₂O₃) thin film was effectively created by employing the chemical bath deposition approach on SiO₂/Si substrates. X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy [FESEM], and energy-dispersive X-ray spectroscopy were used to analyze the structural and the surface morphology of the annealed sample at 500°C for two hours in air. When annealed at 500°C, the SnO₂-Y₂O₃ film crystallized was accomplished with a tetragonal rutile structure. The nanocrystalline SnO₂ thin film was effectively employed as a UV photodetector device (UV PDs). A UV photo detector based on nanocrystalline SnO₂-Y₂O₃ film showed 2988% sensitivity when exposed to a 360 nm wavelength (6 mW/cm²) at an applied voltage of 3 V. In contrast, the responsivity value was 3.247 A/W. The rise and full times were determined by calculating to be 0.663 s and 0.436 s, respectively. The excellent performance of the device could be correlated with high surface-to volume proportions including its elevated crystal performance. Given its outstanding stability and reliability, the nanocrystalline SnO₂-Y₂O₃ thin film sensor is the optimum option for commercially photo-electronic applications.
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2025 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.