ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Themal strees and strain impor...>الوصف

Themal strees and strain importance enduced by focusd Gassian beams laser

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Saleh, Mona Mahdi (Author)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 413 - 424
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424688
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
السيلكون | أشعة الليزر | درجة الحرارة | المركبات الكيميائية
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم في هذا البحث دراسة نظرية لأيجاد الاجهاد والانفعال الحراري في بلـورة السليكون نتيجة تعرضه لأشعة الليزر باستخدام المركبات الرئيسة لنظام المحاور الاسطوانية حيث استخدمت صيغ تكاملية مشتقة لأيجاد قيم لاجهـاد والانفعـال عدديا" الذي حسب بشكل تحليلي على المنطقة المسخنة بالليزر لحجم بقعة ليـزر اكبر بكثير من عمق الامتصاص لأرضية سليكون مسخن بالليزر كما تم دراسة التغير او الزيادة بدرجات الحرارة كدالة لنصف قطر بقعة الليزر.

Thermal stress and strain of silicon crystal has been studied theoretically after exposure to laser using the main compounds of cylindrical coordinates. An Integral derived forms was used to find stress and strain values numerically for laser heated area with spot volume very large absorption depth of silicon .Also, temperature rise was calculated as a function of laser spot diameter had been studied.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.