ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Study the themal propertiies o...>الوصف

Study the themal propertiies of Ga As semiconductor laser by using Quantum Mechanics Semiempirical

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Naif, Hanan Auda (Author)
المجلد/العدد: ع 5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 284 - 300
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426479
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
أشعة الليزر | الخواص الحرارية | الجزيئات | القصور الذاتي
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: لقد تم في هذا دراسة الخواص الحرارية (GaSa) وذلك باستخدام برامج الكم شبه التجريبية وبطريقة PM3/ MNDO. وقد استندت خطة البحث على خطوتين اساسيتين: الخطوة الاولى: تتمثل بتحديد الشكل الهندسي المتوازن للجزيئة بالاعتماد على المحاور الداخلية من خلال البرنامج المستخدم (PC Model) والحصول من خلاله على المصفوفة الابتدائية التي تحتوي على عدد الذرات المكونة للجزيئة، والمسافة بين الذارت بالانكستروم r وعلى الزوايا بين الذرات Angel وعلى زوايا السطوح Dihidral. الخطوة الثانية تتمثل باستخدام المصفوفة الابتدائية التي حصلنا عليها من الخطوة الاولى، وادخالها في البرنامج Win Mopac 7.21 لتحديد الطاقة الكلية عند التركيب الهندسي الجزيئي المستقر، ومنها يتم تحديد المسافة التي عندها تكون الطاقة اقل ما يمكن وتسمي عندها مسافة التوازن وقد كانت قيمة الطاقة الكلية لجزيئة (GaAs) عند مسافة التوازن (1.7 ) للجزيئة. من خلال منحني طاقة الجهد نجد أن طاقة التفكك الطيفية لجزيئة GaAs (4.751eV). ولقد تم ايضا حساب عزم القصور الذاتي للجزيئة حيث تمتلك الجزيئة GaAs عزمين متساويين للقصور الذاتي وقد كانت قيمتها مساوية إلى: IA=0.000000, IB=0.152461cm-1, Ic=0.152461cm-1 كذلك حسبت بعض الخصائص الحرارية (الثرموديناميكية) للجزيئات مثل حرارة التكوين والمحتوى الحراري (الانثالبي) والانتروبي والسعة الحرارية اضافة إلى حساب طاقة جبس الحرة، وعند درجة حرارة الغرفة (298K) كانت حرارة التكوين لجزيئة gaAs (mol/44.686 kcal) والانثالبي (mol/2203.3835Cal) والسعة الحرارية (mol.k/8.1567cal) والانتروبي (mol.k/62.3025cal) وطاقة جبس الحرة (mol/-16362.762cal).

The study in this search of thermal properties for Gallium Arsenide (GaAs) by using semi-empirical programs and method MNDO/PM3. The research plan depended on two parts, the first part represented by determine the equilibrium geometry form for molecular by using PC model program with internal coordinate and get the initial matrix where contain on (atoms, distance between atoms by angstrom unit , angle (0°) and dehidral . The second part is represented by use this matrix from part 1, and use it in Winmopac7.21 program to determine the minimum total energy at equilibrium structure for molecules , this studies and calculations yielded the equilibrium geometries distance, energetic value, for (GaAs) total energy was (-183.986eV) at equilibrium distance for above molecules were . Through unharmonic potential energy curve we founded the spectroscopic dissociation energy for GaAs (4.75leV). Also; the moment of inertia which was for the molecular GaAs have equal two primitive values: IA=0.000000, IB=0.152461 cm-1, lc=0.152461 cm-1 The thermodynamic properties for molecular such as heat of formation, enthalpy, entropy, heat capacity in addition the free Gibbes energy were calculate at room temperature (298K). The heat of formation for (GaAs) is (44.686 Kcal/mol) enthalpy (2203.3835cal/mol), heat capacity (8.1567 cal/mol.K), entropy (2.3025cal/mol.K) and Gibbs energy (-16362.762cal/mol).
وصف العنصر: ملخص لبحث منشور الإنجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.