ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Recent Progress in the Preparation of a-S1-x-Cx:H by Thermal Evaporation in Glow discharge Decomposition of Methane

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: AI Haddad, Raad M. S. (Auth)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 431 - 439
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 425802
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية السليكون العشوائية H: Cx S1-x –a من خلال التبخير الحراري للسليكون Si ومن ثم تعريض أغشية Si بغاز الميثان المحلل عن طريق التفريغ التوهجي (G.D) لكي يتغلل كل من ذرات H،C داخل أغشية السليكون. تم أخذ فترات مختلفة من التفريغ التوهجي G.D حتى تتحقق تغلغل كل من ذرات H,C داخل السيليكون لتكوين H: Cx S1-x –a التركيب العشوائي للأغشية المرسبة قد تم التحقق منه من خلال فحوصات حيود الأشعة السينية X-ray و عملية الهدرجة تم التأكد منها من خلال تحليل طيف الامتصاص IR عوامل التحضير تم تنظيمها للحصول على شروط المثلي في تحقيق المكونات المطلوبة.

Hydrogenated amorphous silicon carbide, a-Si1-x Cx:H has beenprepared by thermal evaporation of silicon, then the Si films were exposed of discharge (G.D) decomposition of methane to allow both C-and H-atoms to be embedded in the silicon thin films. Different G.D times were attempted to adjust various values of C and H atoms in the system a-Si1-x Cx: H .The amorphous structure of the as-deposited films was confirmed by x-ray diffraction and the hydrogenation process was confirmed by IR absorption spectra. The preparation parameters have been adjusted to give the optimum required composition

وصف العنصر: أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 1812-0380