Recent Progress in the Preparation of a-S1-x-Cx:H by Thermal Evaporation in Glow discharge Decomposition of Methane
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | AI Haddad, Raad M. S. (Author) |
| المجلد/العدد: | ع 1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2008
|
| الصفحات: | 431 - 439 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 425802 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | الإنجليزية |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02607nam a22002177a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1075266 | ||
| 041 | |a eng | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |9 8467 |a AI Haddad, Raad M. S. |e Author | ||
| 245 | |a Recent Progress in the Preparation of a-S1-x-Cx:H by Thermal Evaporation in Glow discharge Decomposition of Methane | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2008 | ||
| 300 | |a 431 - 439 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 500 | |a أصل المقال منشور باللغة الإنجليزية | ||
| 520 | |a تم تحضير أغشية السليكون العشوائية H: Cx S1-x –a من خلال التبخير الحراري للسليكون Si ومن ثم تعريض أغشية Si بغاز الميثان المحلل عن طريق التفريغ التوهجي (G.D) لكي يتغلل كل من ذرات H،C داخل أغشية السليكون. تم أخذ فترات مختلفة من التفريغ التوهجي G.D حتى تتحقق تغلغل كل من ذرات H,C داخل السيليكون لتكوين H: Cx S1-x –a التركيب العشوائي للأغشية المرسبة قد تم التحقق منه من خلال فحوصات حيود الأشعة السينية X-ray و عملية الهدرجة تم التأكد منها من خلال تحليل طيف الامتصاص IR عوامل التحضير تم تنظيمها للحصول على شروط المثلي في تحقيق المكونات المطلوبة. |b Hydrogenated amorphous silicon carbide, a-Si1-x Cx:H has been prepared by thermal evaporation of silicon, then the Si films were exposed of discharge (G.D) decomposition of methane to allow both C-and H-atoms to be embedded in the silicon thin films. Different G.D times were attempted to adjust various values of C and H atoms in the system a-Si1-x Cx: H .The amorphous structure of the as-deposited films was confirmed by x-ray diffraction and the hydrogenation process was confirmed by IR absorption spectra. The preparation parameters have been adjusted to give the optimum required composition | ||
| 653 | |a طيف الامتصاص |a مستخلصات الأبحاث |a الفيزياء |a أغشية السليكون العشوائية |a غاز الميثان |a التفريغ التوهجي |a الأشعة السينية | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 019 |l 001 |m ع 1 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 008 |x 1812-0380 | ||
| 856 | |u 1151-008-001-019.pdf | ||
| 930 | |d n |p y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 425802 |d 425802 | ||
عناصر مشابهة
-
Structural, D.C, and A.C. Mechanism for thermally evaporated Cd X Se 1-X thin films
بواسطة: الخفاجي، صبا نشأت سعيد منشور: (2011) -
Time Decay of Pulse Current in Capillary Glow Discharge
بواسطة: أحمد، مؤيد عبدالله منشور: (2020) -
OPTIACL REFLECTANCE AND TRANSMITTANCE OF BISMUTH TRIIODIDE THIN FILMS PREPARED BY FLASH EVAPORATION METHOD AT DIFFERENT SUBSTRATE TEMPERATURES
بواسطة: Al Mohaisen, Wasan Jamal J. منشور: (2014) -
Measurement of Low-Pressure Plasma Parameters by the Floating Double Probe Method for Dry Air and Helium Gas in a Capillary Glow Discharge
بواسطة: إبراهيم، أشرف خالد منشور: (2022) -
DIELECTRIC CONSTANTS AND CLAUSIUS-MOSSOTTI FUNCTIONS OF ARGON, NITROGEN, METHANE, AND THEIR MIXTURES
بواسطة: Mady, Mohamed H. منشور: (1975)
