المستخلص: |
تم تبخير أغشية ZnSe الرقيقة على أرضيات زجاجية بطريقة التبخير الحراري عند درجة حرارة الغرفة ولدنة الأغشية المحضرة بدرجات حرارة(k423،473،573) حيث أظهرت فحوصات الأشعة السينية أن جميع الأغشية المحضرة والملدنة تمتلك تركيب متعدد التبلور من نوع متمركز الأوجه.f.c.cكل الأغشية المحضرة تمتلك توجه تفضيلي باتجاه [١١١] مع توجه باتجاه [٠ ٢٢] و [٣١١]للأغشية الملدنة بدرجة حرارة k٥٧٣.اجري حساب الثوابت التركيبية مثل (ثابت الشبكية، حجم البلورة، معدل الإجهاد الداخلي،المطاوعة المايكروية، كثافة الانخلاعات) للأغشية المحضرة وحساب تأثير التلدين طيها.
Thermally evaporated ZnSe thin films deposited on glass substrates within R.T and annealing (Ta) at 423،473،573°K are of polycrystalline nature having f.c.c. Zinc blend structure. The most preferential orientation is along p direction for all deposited films together with other abundant planes 220] and [311] for films annealing at 573 K. The lattice parameter, grain size average internal stress, microstrain, dislocation density in the film are calculated and correlated with Ta.
|