ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير أشعة كاما على الانتقالات...>الوصف

تأثير أشعة كاما على الانتقالات الإلكترونية لأغشية SnO2 الرقيقة والمشوبة بالفلور والمحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: جياد، سامي سلمان (مؤلف)
مؤلفين آخرين: محمود، راجحة رشيد (م. مشارك), حبوبي، نادر فاضل (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 492 - 506
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426295
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
طيف الامتصاص | أشعة جاما | الفيزياء | الانتقالات الإلكترونية | أغشية Sno2 المشوبة بالفلور | طريقة الترسيب الكيميائي الحراري | طيف النفاذية | معاملة الامتصاص | فجوة الطاقة
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضرت أغشية SnO2 وأغشية SnO2:F من أملاح القصدير والمتمثلة بـ SnCI2.2H2O وبظروف تحضير جديدة وباستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري. سجل طيفي الامتصاصية والنفاذية كدالة للطول الموجي nm(900-300) وللأغشية كافة وذلك لغرض معرفة معامل الامتصاص وطبيعة الانتقالات الإلكترونية. وجد إن قيم فجوة الطاقة المحظورة للانتقال المباشر المسموح والانتقال غير المباشر المسموح نقل مع ازدياد نسبة التشويب ماعدا نسبة %١ ، إذ كانت قيمتها للانتقال المباشر المسموح eV ٣.٥ للغشاء غير المشوب وتزداد إلى eV ٣.٦ ثم تبدأ بالنقصان إلى eV 3.1، إما بالنسبة للانتقال غير المباشر المسموح فقد سلكت فجوة الطاقة نفس السلوك السابق ماعدا إن قيمتها تكون اقل. إن قيم فجوة الطاقة بعد التشعيع كانت اكبر من قيمها قبل التشعيع للانتقالين المباشر المسموح وغير المباشر المسموح إذا كانت قيمتها للانتقال المباشر المسموح تساوي eV ٣.٦٥ للغشاء غير المشوب وتزداد إلى eV ٣.٨ للغشاء المشوب بنسبة %١ ثم تبدأ بالنقصان إلى eV ٣.٤ وسلكت قيم الانتقال غير المباشر المسموح نفس سلوك الانتقال المباشر المسموح من حيث التغير في فجوة الطاقة المحظورة إلا أن قيمها تكون اقل من قيم مثيلاتها قبل التشعيع.

Thin films of SnO2 and SnO2:F have been prepared using SnC12, 2H2O with a new preparation conditions utilizing chemical spray pyrolysis. The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the spectrum range (300-900)nm, in order to obtain the absorption coefficient, kind of transition The value of the forbidden energy gap for direct and indirect allowed transition were found to be decrease as the doping percentage increased except for 1% doping. Where the energy gap value of the direct allowed transition was 3.50 eV for the undoped films before irradiation and increase to 3.60 eV for 1% doping, then it value decrease from 3.10 eV as the percentage of doping increased, for the indirect allowed transition it seems to have the same behavior but the value of the energy gap were less than its value before irradiation. The value of the forbidden energy gap after irradiation were more than it's value for the direct allowed transition and indirect allowed transition before irradiation, where the energy gap value for direct allowed transition 3.65 eV for the undoped sample and increase to 3.8 eV for 1% doping and decrease to 3.4 eV. The value of the indirect allowed transition were seems to have the same behavior for the values of the energy gap but its values were less in comparison with their values before irradiation.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.