ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Influence of annealing tempera...>الوصف

Influence of annealing temperature and deposition rate on the energy gap of CdSe thin films

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Mohamed, Sahar Abd Alaziz (Author)
المجلد/العدد: ع 5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 212 - 220
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426334
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
اللدائن | درجة الحرارة | التبخير الحراري | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم ترسيب أغشية رقيقة من CdSa (360±10 nm) على ارضيات زجاجية بأستعمال تقنية التبخير الحراري. أن معدل الترسيب للأغشية كان في المدي (sec\0.8,1.0 1.2 nm) كما تم تلدين هذه الأغشية عند مدي درجات الحرارة (473 K-303). أظهرت القياسات البصرية للأغشية الملدنة بدرجات حرارة مختلفة وبنسب ترسيب مختلفة بأن ألأغشية تمتلك فجوة طاقة مباشر مسموحة (1.71-1.98 eV) والتي درست كدالة لدرجة حرارة التلدين ومعدل الترسيب, ان التلدين عند (423K) قد سبب زيادة في فجوة الطاقة بينما التلدين عند (473K و373K ) قد قلل فجوة الطاقة. قد أظهر معدل الترسب عند (1.0 nm\sec) زيادة في فجوة الطاقة لكل درجات حرارة التلدين.

CdSe thin films (360±10 nm) were deposited onto glass substrate by using thermal evaporation tech nique. Thin films of deposition rate in range (0.8, 1.0,1.2 nm/sec) were annealed at different temperature rang (303 _ 473 K). CdSe films shows allow and direct energy gap (1.71_1.98 eV), which is study as function of annealing temperature and rate deposition. Annealing at (423 K) causes increase energy gap to while annealing at (373 K) and (473 K) cause's decreases in energy gap. Rate deposition at (1.0 nm/sec) shows increasing in energy gap for all annealing temperature.
وصف العنصر: ملخص لبحث منشور باللغة الإنجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.