ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Influence of annealing temperature on electrical properties of PbSe/n-Si heterojunction devices

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Hassan, Marwa Abd Almuhsien (Auth)
المجلد/العدد: ع 1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 306 - 318
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 424878
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في ھذا البحث، حضرت أغشية رقيقة من p-PbSe بتقنية التبخير الحراري في الفراغ في درجة حرارة الغرفة على قواعد من السليكون n-type silicon تحت ضغط 6-10 ملي بار. سمك الغشاء بحدود 600 nm. درس تأثير درجات حرارة التلدين (303, 333, 363 and 393) K على الخصائص الكھربائية للمفرق الھجين PbSe/n-Si. تم قياس الخصائص الكھربائيه التي شملت خصائص سعة-فولتية (C-V) وخصائص تيار-فولتية (I-V). ومن قياس سعة – فولتية اتضح أن المفرق من النوع الحاد وتم حساب جھد البناء الداخلي ( (Vbiمن خلال اخذ امتداد 1/C2-V الى النقطه (V=0) حيث بلغ (0.7V) عند درجة حرارة الغرفة، وتم حسابه تحت درجات حرارة تلدين مختلفة، بينما تم حساب عامل المثالية (β) من قياسات تيار- فولتية.

- In the present work, p-PbSe thin films were prepared by using thermal evaporation technique at room temperature on n-type silicon substrate under vacuum of 10-6 mbar. Thickness of the film is 600 nm. The fabricated devices were subjected to post-deposition annealing at (303, 333, 363 and 393) K and 45 min. The effect of annealing temperature on the electrical properties of PbSe/n-Si junctions was studied. The electrical properties included the capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) measurements. C-V characteristics suggest that the fabricated devices were abrupt type. The built in potential (Vbi) was determined by extrapolation from 1/C2-V curve to the point (V=0. It was equal to (0.7V) at room temperature and was calculated under different annealing temperatures, while from I-V measurements, the ideality factor (β) is calculated.

وصف العنصر: باللغة الانجليزية
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة