MSM- photodetectors based on AlxGa1-xN/GaN heterostructures grown on Si(111) by MOlecular beam epitaxy
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Aziz, Wisam Jaafer (Author) |
| المجلد/العدد: | ع 6 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2011
|
| الصفحات: | 378 - 387 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 426420 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | الإنجليزية |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02558nam a22002177a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1076033 | ||
| 041 | |a eng | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |a Aziz, Wisam Jaafer |e Author |9 22152 | ||
| 245 | |a MSM- photodetectors based on AlxGa1-xN/GaN heterostructures grown on Si(111) by MOlecular beam epitaxy | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية |c 2011 | ||
| 300 | |a 378 - 387 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 500 | |a مستخلص الدراسة باللغة العربية | ||
| 520 | |a في هذا البحث تم صناعة ودراسة الخصائص التركيبية، البصرية والكهربائية لكواشف ضوئيه (معدن - شبه موصل- معدن ) مصنوعه من تركيبة ثلاثية AlxGa1-xN على اساس سليكون (111) صنعت بواسطة منظومة البناء .(PA-MBE) قياسات أشعة اكس اظهرت البناء الدقيق والمنظم للعينات I (Al0.24Ga0.76N/GaN) و II (Al0.43Ga0.57N/GaN) ذات الاساس السليكوني. FWHM للعينات I و II كان 0.69 و 0.65 على التوالي. ارتفاع حاجز شوكلي كان eV 60,0 و 67,0 على التوالي و المعامل المثالي 92,1 و 32,1 على التوالي. أعلى قمة للاستجابة للعينة I كانت A/W0,123 في nm 305 وللعينه II كانت A/W 0,864 في nm 275 . |b This research has been fabricated and studied the structural, optical and electrical characterization of photo-detectors of AlxGa1-xN based metalsemiconductor-metal (MSM) grown on Si (111) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) are presented. X-ray diffraction (XRD) measurements revealed that the sample I (Al0.24Ga0.76N/GaN) and sample II (Al0.43Ga0.57N/GaN) were epitaxially grown on Si substrates. FWHM for samples I and II were equal to 0.69 and 0.65o respectively. The Schottky barrier height and ideality factor for samples I and II were equal to 0.60, 0.67 eV and 1.29, 1.32 respectively. Maximum peak responsivity for sample I was 0.123 A/W at 305 nm and for sample II, maximum peak responsivity was 0.864 A/W at 275 nm. | ||
| 653 | |a الكواشف الضوئية |a الخصائص البصرية |a الخصائص الكهربائية | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 042 |l 006 |m ع 6 |o 1151 |s مجلة كلية التربية |t Journal of Faculty of Education |v 011 |x 1812-0380 | ||
| 856 | |u 1151-011-006-042.pdf | ||
| 930 | |d n |p y |q y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 426420 |d 426420 | ||
عناصر مشابهة
-
Metal-Semiconductor-Metal (MSM) Photodetectors
بواسطة: Al Salem, Majed منشور: (1996) -
Photoluminescence from bulk GaN substrates
بواسطة: Al Rrshedan, Marrwa منشور: (2012) -
RHEED and XPS Studies of Epitaxial Co Thin Film on GaAs(100), (111)A, B and on Si(100) and (111)
بواسطة: Al-Busaidi, Zakia Nasser منشور: (2006) -
Accurate Analysis of Photodetector's Noise in Optical Communication Systems
بواسطة: المسيعدين، عبدالله ابراهيم منشور: (2018) -
Metal/n-type GaN Schottky Contacts: Interface States and Barrier Inhomogeneities
بواسطة: Al Hashmi, Badriya منشور: (2009)
