ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Crystal growth of Bi2 Se3 and determination of lattice parameters for ingot and thin film deduced by Hull Davey transformation

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Abd-Al. Kathum, A. H (Author)
مؤلفين آخرين: Al Qazaz, A. K. A. (Co-Author)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2009
الصفحات: 1056 - 1066
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 429199
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضر المركب (Bi+Se) بواسطة صهر عناصره الأولية عالية النقاوة بنسب وزنية مكافئة لتكوين المركب، داخل أمبولة من الكوارتز. نميت بلورة مفردة من المركب (Bi2Se3) بتنقية التبريد البطئ من منصهر العناصر (Bi+Se) بدرجة حرارة Cْ 810 لمدة 48h. درس التركيب البلوري لبلورة المركب Bi2Se3 المفردة باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية ظهر نمو بلوري عالي الشدة بالاتجاه (015) كما درس التركيب البلوري لمسحوق المركب بتقنية حيود الأشعة السينية ووجد أنه يمتلك تركيب بلوري الكواناجواتايت ذات وحدة خلية معينية الأوجه بأبعاد c:2t.6637A y α=:4.1416A بينما .α= 24.274 α=9'8492 A

The Bi2Se3 compound was synthesized by fusing initial components consisting of extra pure elements in stoichiometric from elements compound, charged inside quartz ampoule. The crystal growth of BbSe3 carried out using slow cooling techinque process from melting of (Bi+Se) at temperature of 810 °C for about 48h. Single crystal of Bi2Se3 has been grown in direction (015) after slow cooling rate (1-3) C/h. I he structural study of the compound was determined by x-ray diffraction technique, which it has guanajuatite structure and rhombohedral unit cell with lattice parameters are aH-4.1416 A and c=28.6637 A, when aR=9.8492 A, and α =24.274o.

وصف العنصر: باللغة الانجليزية
ISSN: 1812-0380