دراسة تأثير السمك على الانتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد التيتانيوم Tio2 المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
| المصدر: | مجلة كلية التربية الأساسية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية |
| المؤلف الرئيسي: | ضبع، صبرية عليوي (مؤلف) |
| المجلد/العدد: | ع 49 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2006
|
| الصفحات: | 473 - 482 |
| ISSN: |
8536-2706 |
| رقم MD: | 429944 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| LEADER | 02799nam a22001937a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1081081 | ||
| 044 | |b العراق | ||
| 100 | |a ضبع، صبرية عليوي |e مؤلف |9 254038 | ||
| 245 | |a دراسة تأثير السمك على الانتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد التيتانيوم Tio2 المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري | ||
| 260 | |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية |c 2006 | ||
| 300 | |a 473 - 482 | ||
| 336 | |a بحوث ومقالات | ||
| 520 | |a حضرت أغشية أوكسيد التيتانيوم TiO2 الرقيقة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد من زجاج البوروسليكات عند درجة حرارة (420 ºC) أظهرت نتائج نمط حيود الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور. اشتملت الدراسة على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية لأسماك مختلفة من الأغشية عند مدى الأطوال الموجية nm (900-300) وحساب معامل الامتصاص وفجوة الطاقة لجميع الانتقالات. وقد أظهرت النتائج تأثير تغير سمك الغشاء على الانتقالات الإلكترونية ومعامل الامتصاص. وكذلك إمكانية حدوث انتقالات إلكترونية مباشرة وغير مباشرة. |b Thin films of TiO2 have been prepared using chemical spray technique on borosilicate glass bases at temperature about (420oC). By using XRD technique, it was found the structure of the as deposited thin films was polycrystalline. The absorption and transmission have been recorded in the spectral range (300-900)nm, and calculated of thin films energy gap for all kinds of optical electronic transitions. Absorption these parameter were affected by thickness of TiO2 thin films from the results we obtained that there is aperobabit for the forbidden gap in direct transition to be happed the absorption coefficient found to be high of TiO2. | ||
| 653 | |a طريقة الترسيب الكيميائي الحراري |a الفيزياء |a الأغشية الرقيقة |a الإلكترونات |a الانتقالات الإلكترونية |a أوكسيد التيتانيوم |a معامل الإمتصاص |a المركبات الكيميائية | ||
| 773 | |4 التربية والتعليم |6 Education & Educational Research |c 020 |e Journal of the Faculty of Basic Education |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn |l 049 |m ع 49 |o 1156 |s مجلة كلية التربية الأساسية |v 000 |x 8536-2706 | ||
| 856 | |u 1156-000-049-020.pdf | ||
| 930 | |d n |p y | ||
| 995 | |a EduSearch | ||
| 999 | |c 429944 |d 429944 | ||
عناصر مشابهة
-
دراسة تأثير درجة حرارة التلدين على الانتقالات الإلكترونية لأغشية Sno2 المشوب بـ Ag2o المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: خلف، أمال أحمد منشور: (2006) -
تأثير التلدين على الثوابت البصرية لأغشية Cuo المشوبة بالأنديوم
بواسطة: ضبع، صبرية عليوي منشور: (2008) -
تأثير التشعيع على الانتقالات الإلكترونية لأغشية كبريتات الكادميوم الرقيقة المشوبة بالفضة والمحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: حبوبي، نادر فاضل منشور: (2006) -
دراسة الثوابت البصرية لأغشية Fe-Cu المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: حسن، علي هادي منشور: (2005) -
دراسة الانتقالات الإلكترونية والخواص البصرية لأغشية وأكسيد النحاس المشوب بالأنديوم بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري
بواسطة: خلف، أمال أحمد منشور: (2006)
