ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة الانتقالات الالكترونية و...>الوصف

دراسة الانتقالات الالكترونية وفجوة الطاقة الممنوعة قبل التلدين وبعده لاغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالفضة

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: صالح، ارواء فاضل (مؤلف)
مؤلفين آخرين: جبار، رشيد هاشم (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 6
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2009
الصفحات: 211 - 222
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 430215
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
التلدين | الاجهزة الالكترونية | الطاقة | الكيمياء | المعادلات الكيميائية | مستخلصات الابحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية رقيقة من أوكسيد الخارصين Zno النقي وأغشية مشوبة بالفضة بالنسب8,6,4,2)% )، بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية بدرجة حرارة 450 مئوية، ودراسة خصائصها البصرية قبل التلدين وبعده بدرجة حرارة مقدارها 500 مئوية لزمن مقداره ساعتان. أدى التشويب إلى زيادة فجوة الطاقة للانتقال المباشر (المسموح والممنوع)، أما التلدين فقد تسبب بتناقص فجوة الطاقة للانتقالات المباشرة بشكل عام.

In this work, Zinc Oxide thin films doped by silver (2,4,6,8)% which prepared by chemical spray pyrolysis were deposited on 450C glass substrates. Optical properties investigated before and after annealing with 500C for 2 hours. The silver doping caused to increase the energy Band gap for a direct transitions, but the energy gap is decreased after annealing in general.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.