ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة تأثير التشعيع والمعاملة...>الوصف

دراسة تأثير التشعيع والمعاملة الحرارية على الخواص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لأغشية CuO غير المشوبة والمشوبة بالانديوم In

المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: ضبع، صبرية عليوي (مؤلف)
المجلد/العدد: ع 51
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2007
الصفحات: 259 - 278
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 430998
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
حرارة التلدين | الإشعاعات | الانتقالات الإلكترونية | الأغشية الرقيقة | الانديوم | الحرارة | الخواص الكيميائية | الإلكترونات | المواد الصلبة | الخلايا الشمسية | معامل الامتصاص
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم في البحث دراسة الخواص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لأفلام أكسيد النحاس و CuO: تم تحضيرها باستخدام ترسيب بخاخ كيميائي على ركائز الزجاج عند درجة حرارة حوالي (623 K) بنسب تعاطي (3٪، 5٪). من خلال دراسة نمط حيود الأشعة السينية تم تشخيص طبيعة تبلور الأغشية حيث أظهرت الفحوصات أن أغشية أوكسيد النحاس النقية والمشوبة ذات تركيب بلوري متعدد البلورات. اشتمل البحث على دراسة طيف الامتصاصية والنفاذية للأغشية المحضرة وحساب معامل الامتصاص وفجوة الطاقة الممنوعة للانتقالات المسموحة المباشرة وغير المباشرة. وقد أظهرت النتائج أن التشويب أدى إلى زيادة في معامل الامتصاص ونقصان في قيمة فجوة الطاقة بسبب الانتقالات المباشرة المسموحة. تم دراسة تأثير التشعيع على الخواص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لأغشية CuO، CuO: In. فقد أظهرت نتائج دراسة الخواص التركيبية بأن التشعيع أدى إلى انخفاض في شدة القمع وانخفاض جدتها أي أن مادة الغشاء أصبحت أقل تبلورا بسبب تأثير الإشعاع. أما عند دراسة الانتقالات الإلكترونية فقد أدى التشعيع إلى زيادة في قيمة فجوة الطاقة الممنوعة. وتضمن البحث الحالي كذلك على دراسة تأثير التلدين بدرجات حرارية مختلفة (673,723,773K) ولمدة ثلاث ساعات على الخواص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لهذه الأغشية، وقد أظهرت النتائج بأن التلدين أدى إلى زيادة في القمم وزيادة حدتها أي أن التلدين أدى إلى زيادة تبلور مادة الغشاء. كذلك أدى التلدين إلى زيادة في معامل الامتصاص ونقصان في قيمة فجوة الطاقة.

In this research, the structural properties and the electronic transitions were studied for the films of copper oxide and CuO: In were prepared using chemical spray deposition on glass substrates at temperature in about (623 K) with doping ratios (3%, 5%). (X-ray diffraction technique) showed that all prepared films are polycrystalline and monoclinic with no effect of doping on them. The research included studying the absorptanse and transmittance spectrum for the prepared films, and the absorption coefficient and energy gap of the direct and indirect allowed transitions for the prepared films were calculated. The obtained results showed that doping caused increase in absorption coefficient and decrease in energy gap value due to the direct allowed transition. The effect of irradiation on the structural properties and energy gap was studied for the CuO, CuO: In films. Structural properties results indicated that above procedure leads to decrease in peaks and decreased in their intensities i.e. the films substance become less crystallized because of the irradiation, the irradiation leads to increase in energy gap value. The present research included also studying the effect of annealing at different temperatures (673, 723, 773 K) for 3 hours, on structural properties and energy gap, the results concluded that annealing leads to increase in the peaks height as well as in their sharpness, i.e. increasing in films substance crystallization. Also the annealing lead to increase in absorption coefficient and decrease in energy gap.
ISSN: 8536-2706

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.