الخواص التركيبية والكهربائية للمفرق الهجين CdTe/Si المحضر بتقنية التبخير الوميضي

العنوان بلغة أخرى:	Structural & Electrical Properties of CdTe/Si Heterojunction Prepared by Flash Evaporation T echnique
المصدر:	مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر:	الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي:	مقادسي، مازن بطرس (مؤلف)
مؤلفين آخرين:	حسن، خالدة كاطع (م. مشارك) , حسن، رعد كاطع (م. مشارك) , علوان، عماد حسين (م. مشارك)
المجلد/العدد:	ع 63
محكمة:	نعم
الدولة:	العراق
التاريخ الميلادي:	2010
الصفحات:	61 - 67
ISSN:	8536-2706
رقم MD:	430491
نوع المحتوى:	بحوث ومقالات
اللغة:	العربية
قواعد المعلومات:	EduSearch
مواضيع:	الموصلات الكهربائية \| المركبات الكيميائية \| التبخير الوميضي \| مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:	الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

المستخلص:	يهدف البحث لدراسة الخصائص الالكتروبصرية لكاشف للمفرق الهجين CDTe/ Si الذي تم تحضيره بترسيب مادة الكادميوم تلرايد بطريق التبخر الوميضي على قاعدة أحادية الطور من مادة السيليكون. تم فحص الخصائص التركيبية والكهربائية للأغشية المحضرة. اظهر مفرق CDTe/ Si تقويم ثنائي واسع وحصول حالة انهيار غير حادة عندما VB > 2V أجريت فحوصات خصائص تيار الظلام للكاشف المحضر في درجة حرارة الغرفة. The present study is on the optoelectronic properties of CdTe/Si heterojunction photodetector made by deposition of CdTe by flash evaporation technique on clean monocrystalline phase of Si. Electrical and structural properties of grown CdTe film were investigated. The CdTe/Si junction exhibits fair diode rectification and the soft breakdown occurred at VB>2 V. Dark I–V characteristics of the CdTe/Si photodetector are examined at room temperature.
وصف العنصر:	ملخص لبحث منشور باللغة الإنجليزية
ISSN:	8536-2706