ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > الخواص التركيبية والكهربائية ل...>مارك

الخواص التركيبية والكهربائية للمفرق الهجين CdTe/Si المحضر بتقنية التبخير الوميضي

العنوان بلغة أخرى: Structural & Electrical Properties of CdTe/Si Heterojunction Prepared by Flash Evaporation T echnique
المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: مقادسي، مازن بطرس (مؤلف)
مؤلفين آخرين: حسن، خالدة كاطع (م. مشارك) , حسن، رعد كاطع (م. مشارك) , علوان، عماد حسين (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 63
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2010
الصفحات: 61 - 67
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 430491
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الموصلات الكهربائية | المركبات الكيميائية | التبخير الوميضي | مستخلصات الأبحاث
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 02560nam a22002537a 4500
001 1082177
044 |b العراق 
100 |9 318407  |a مقادسي، مازن بطرس  |e مؤلف 
245 |a الخواص التركيبية والكهربائية للمفرق الهجين CdTe/Si المحضر بتقنية التبخير الوميضي 
246 |a Structural & Electrical Properties of CdTe/Si Heterojunction Prepared by Flash Evaporation T echnique 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية  |c 2010 
300 |a 61 - 67 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
500 |a ملخص لبحث منشور باللغة الإنجليزية  
520 |a يهدف البحث لدراسة الخصائص الالكتروبصرية لكاشف للمفرق الهجين CDTe/ Si الذي تم تحضيره بترسيب مادة الكادميوم تلرايد بطريق التبخر الوميضي على قاعدة أحادية الطور من مادة السيليكون. تم فحص الخصائص التركيبية والكهربائية للأغشية المحضرة. \ اظهر مفرق CDTe/ Si تقويم ثنائي واسع وحصول حالة انهيار غير حادة عندما VB > 2V أجريت فحوصات خصائص تيار الظلام للكاشف المحضر في درجة حرارة الغرفة. \   |b  The present study is on the optoelectronic properties of CdTe/Si heterojunction photodetector made by deposition of CdTe by flash evaporation technique on clean monocrystalline phase of Si. Electrical and structural properties of grown CdTe film were investigated. The CdTe/Si junction exhibits fair diode rectification and the soft breakdown occurred at VB>2 V. Dark I–V characteristics of the CdTe/Si photodetector are examined at room temperature. 
653 |a الموصلات الكهربائية   |a المركبات الكيميائية   |a التبخير الوميضي  |a مستخلصات الأبحاث  
700 |9 210375  |a حسن، خالدة كاطع  |e م. مشارك 
700 |9 210444  |a حسن، رعد كاطع  |e م. مشارك 
700 |9 277432  |a علوان، عماد حسين  |e م. مشارك 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 006  |e Journal of the Faculty of Basic Education  |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn  |l 063  |m ع 63  |o 1156  |s مجلة كلية التربية الأساسية  |v 000  |x 8536-2706 
856 |u 1156-000-063-006.pdf 
930 |d n  |p y  |q y 
995 |a EduSearch 
999 |c 430491  |d 430491 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.