دراسة تاثير التشعيع على الانتقالات الالكترونية المباشرة على لاغشية zno al المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري

المصدر:	مجلة كلية التربية
الناشر:	الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي:	داود، فريال كاظم (مؤلف)
مؤلفين آخرين:	طه، عباس حسين (م. مشارك) , كاظم، ايمان مجيد (م. مشارك) , مشجل، خضير عباس (م. مشارك)
المجلد/العدد:	ع 1
محكمة:	نعم
الدولة:	العراق
التاريخ الميلادي:	2009
الصفحات:	403 - 411
ISSN:	1812-0380
رقم MD:	431577
نوع المحتوى:	بحوث ومقالات
قواعد المعلومات:	EduSearch
مواضيع:	البحوث العلمية \| الكيمياء \| الاجهزة الالكترونية \| الترسيب الكيميائي الحراري \| الانحباس الحراري \| مستخلصات الابحاث
رابط المحتوى:	الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

المستخلص:	حضرت اغشية (zno:Al) بطريقة الترسيب الكيمائي الحراري وعرضت الى التشعيع بأشعة كاما (Cs137) تبين ان عملية التشعيع تؤدي الى تغيير معامل الامتصاص لأغشية (ZnO:Al) كما يغير من فجوة الطاقة الممنوعة في الانتقاليين المباشرين المسموح والممنوع سجل طيفي الامتصاصية والنفاذية لهذه الأغشية في مدى الطيف (300-900 nm) Thin film of (ZnO:Al) have been prepared by using the chemical spray pyrolysis technique these film have been exposed to gamma rays. It was found that the as deposited films effected by y- radiation (Cs137) which lead to change in the optical properties . The irradiation change the absorption coefficient of (ZnO:Al) also a change in optical forbidden gap for direct allowed and forbidden transition were abserved transmission and absorption have been recorded in the wave length range (300-900 nm)
وصف العنصر:	باللغة الانجليزية
ISSN:	1812-0380