ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير التشعيع على الانتقالات ا...>الوصف

تأثير التشعيع على الانتقالات الالكترونية المباشرة لأغشية Zns المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
مؤلفين آخرين: جياد، جمال سليمان (م. مشارك), محمد، شوقي خلف (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2008
الصفحات: 649 - 656
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 426426
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
معامل الامتصاص | الانتقالات الإلكترونية | أغشية كبريتيد الزنك | طريقة الترسيب الكيميائي الحراري | الخواص البصرية | التشعيع | طاقة الفجوة | طيف الامتصاص | طيف النفاذية | الفيزياء
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضرت أغشية كبريتيد الزنك ZnS بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري، وعرضت إلى التشعيع بأشعة كاما ( Cs 137)، تبيين أن تعريض الغشاء ZnS للإشعاع يؤدي إلى تغيير الخواص البصرية لهذه الأغشية. أن عملية التشعيع تؤدي إلى تغيير معامل امتصاص كبريتيد الزنك ZnS كما يغير من طاقة الفجوة الممنوعة في الانتقالين المباشرين المسموح والممنوع. سجل طيفي الامتصاصية والنفاذية لهذه الأغشية المحضرة في مدى الطيف (٩٠٠nm -300).

Thin transparent film of ZnS have been using chemical spray pyrolysis technique. These film have been exposed to gamma rays. It was found that the as deposited films affected by γ - radiation Cs137 which lead to change in the optical properties. The irradiation change the absorption coefficient of ZnS also a change in optical forbidden gap for direct allowed and forbidden transition were abserved. Transmission and absorption spectra have been recorded in the wavelength range 900-300) nm).
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.