Deep Level Uniformity in silicon For Charge coupled Devices
| المؤلف الرئيسي: | Al Awami, Moneer H. B (author) |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Hamilton, B. (Advisor) |
| التاريخ الميلادي: |
1983
|
| موقع: | مانشستر |
| الصفحات: | 1 - 87 |
| رقم MD: | 599184 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | University of Manchester |
| الكلية: | Institute of Science and Technology |
| الدولة: | بريطانيا |
| قواعد المعلومات: | +Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| وصف العنصر: |
باللغة الانجليزية |
|---|
عناصر مشابهة
-
Rapidly Solidified Aluminium-High Silicon Alloys
بواسطة: Al Shmri, Faraj D. F. منشور: (2010) -
Strained Silicon and Mos Technology
بواسطة: Al Ahmadi, Ahmed Naif منشور: (2007) -
Design of A 130nm Strained Silicon on Insulator SSOI Nmosfet
بواسطة: Al Ghofinah, Mohammed منشور: (2006) -
Intra-Rater and Inter-Rater Therapist Reliability of Knee Valgus Angle During A Single-Leg Squat and Single Leg Hop Landing Using Silicon Coach
بواسطة: Al Arifi, Saud منشور: (2013) -
In Vitro Application of Alkyl-Capped Silicon Nanocrystals for Investigation of Cell Behavior
بواسطة: Al Sharif, Naif Hazza منشور: (2010)
