Design of A 130nm Strained Silicon on Insulator SSOI Nmosfet
| المؤلف الرئيسي: | Al Ghofinah, Mohammed (Author) |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Chattopadhyay, Sanatan (Advisor) |
| التاريخ الميلادي: |
2006
|
| موقع: | نيوكاسل أبون تاين |
| الصفحات: | 1 - 65 |
| رقم MD: | 610603 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | Newcastle University |
| الكلية: | School of Electrical, Electronic and Computer Engineering |
| الدولة: | بريطانيا |
| قواعد المعلومات: | +Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
عناصر مشابهة
-
Strained Silicon and Mos Technology
بواسطة: Al Ahmadi, Ahmed Naif منشور: (2007) -
Intra-Rater and Inter-Rater Therapist Reliability of Knee Valgus Angle During A Single-Leg Squat and Single Leg Hop Landing Using Silicon Coach
بواسطة: Al Arifi, Saud منشور: (2013) -
Rapidly Solidified Aluminium-High Silicon Alloys
بواسطة: Al Shmri, Faraj D. F. منشور: (2010) -
MILLIMETER-WAVE POWER AMPLIFIERS IN CMOS SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY
بواسطة: Helmi, Sultan Rifaat منشور: (2011) -
Deep Level Uniformity in silicon For Charge coupled Devices
بواسطة: Al Awami, Moneer H. B منشور: (1983)
