Investigation of deep levels in n-Type GaAs doped with oxygen by chopped-light photoconductivity
| المؤلف الرئيسي: | Shawoosh, A. S. (Author) |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | Ridley, B. K. (Super) |
| التاريخ الميلادي: |
1980
|
| موقع: | إسيكس |
| الصفحات: | 1 - 101 |
| رقم MD: | 599371 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | University of Essex |
| الكلية: | Faculty of Science and Health |
| الدولة: | بريطانيا |
| قواعد المعلومات: | +Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
عناصر مشابهة
-
Photoconductivity associated with deep levels in gallium arsenide and germanium
بواسطة: Shawoosh, A. S. منشور: (1983) -
Electrical Characterization of GaAs p-i-n Photodiode Incorporating A Double Barrier Single Quantum Well Structure
بواسطة: Al-Shuraiqi, Ruqaya Abdullah منشور: (2011) -
The Magnetization of the (GaAs) Double Quantum Dots in a Magnetic Field
بواسطة: حجاز، اشتياق محمد ياسر منشور: (2016) -
الخصائص البصرية لنبيطة المفرق المتباين ( GaAs -P / n - Ge )
بواسطة: علي، سعاد محمد منشور: (2013) -
LABORATORY INVESTIGATIONS AND ANAESHESIA
بواسطة: El Ewa, Mahmoud Abd Elkhalek منشور: (1989)
