Effectof the direct current modulation on the relaxation oscillation and turn-on delay for a QWL In02, Ga8, As/GaAs
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Nser, Nabeil (Author) |
| مؤلفين آخرين: | Mawlud, Saman (co-Auth), Othman, Mazin (co-Auth) |
| المجلد/العدد: | ع 6 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2011
|
| الصفحات: | 478 - 490 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 426269 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| المستخلص: |
في هذا البحث تم دراسة الخصائص الفيزيائية والمبادئ الاساسية لتضمين ثنائيات الليزر. خصائص التضمين المباشر لليزر ذات الجهد البئري In0.2Ga0.8As/GaAs تم دراسته بأستخدام برنامج محاكاة لأيجاد خواص الأخراج البصرية من خلال تضمين مباشر للتيار المستمر، نتائج خصائص الخرج لثنائي الليزر كانت 8.25 mA لتيار العتبة و 1.13 W/A للكفائة الكمية، وتم دراسة تغير التيار على تأخير الفتح و الغلق وتردد تذبذب الاسترخاء كدالة للتيار المستمر، حيث تم الحصول على تردد الأسترخاء تصل الى نطاق GHz و زمن تأخير للفتح والغلق يصل بحدود 0- .1nsec In this paper the basic physical aspects of laser diode modulation and the operating principles of the laser modulation were described. The direct modulation characteristics of a quantum well laser diode (QWL) In0.2Ga0.8As/GaAs is investigated theoretically using computer program to simulate the optical output of a semiconductor laser subjected to current modulation. The specific laser device output characteristics for threshold current of 8.25 mA and the slope efficiency 1.13 W/A were obtained. The effect of the DC current on the turn-on delay and the relaxation oscillation frequency as a function of the DC current for a variable number of biasing bits were studied, it was obtained that the relaxation oscillation reaches a GHz region and the turn-on delay will limited between 0-1nsec. |
|---|---|
| وصف العنصر: |
مستخلص الدراسة باللغة العربية |
| ISSN: |
1812-0380 |
عناصر مشابهة
-
Effect of Temperature on the Physical Properties of Ingaasn/Gaas Quantum Well Laser Structures
بواسطة: Al Ghamdi, Mohammed Saad منشور: (2005) -
Study the themal propertiies of Ga As semiconductor laser by using Quantum Mechanics Semiempirical
بواسطة: Naif, Hanan Auda منشور: (2010) -
الخواص الفيزيائية والهندسية لليزر الهليوم - نيون وتطبيقاته في قياس الأبعاد الدقيقة
بواسطة: قيلش، صفاء سالم منشور: (2006) -
Photoluminescence from bulk GaN substrates
بواسطة: Al Rrshedan, Marrwa منشور: (2012) -
دراسة نظرية لحساب مستويات الطاقة لشبه الموصل GaP: Ti و GaAs: V
بواسطة: محمود، ابتسام يحيى عبدالله منشور: (2005)
