MODELING ION-TRACK STRUCTURE IN SILICON  AND NUMERICAL SIMULATION OF PROTON-INDUCED  UPSET IN N+P DIODES

المؤلف الرئيسي:	Fageeha, Osama (Author)
مؤلفين آخرين:	Block, R. C. (Super)
التاريخ الميلادي:	1995
موقع:	نيويورك
الصفحات:	1 - 175
رقم MD:	618793
نوع المحتوى:	رسائل جامعية
اللغة:	الإنجليزية
الدرجة العلمية:	رسالة دكتوراه
الجامعة:	Rensselaer Polytechnic Institute
الكلية:	The Graduate School
الدولة:	الولايات المتحدة الأمريكية
قواعد المعلومات:	+Dissertations
مواضيع:	الهندسة النووية \| المحاكاة العددية \| النمذجة \| السيليكون
رابط المحتوى:	صفحة العنوان المستخلص قائمة المحتويات 24 صفحة الأولى الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

LEADER	01563nam a22003497a 4500
001	0030740
041		\|a eng
100		\|9 29851 \|a Fageeha, Osama \|e Author
245		\|a MODELING ION-TRACK STRUCTURE IN SILICON AND NUMERICAL SIMULATION OF PROTON-INDUCED UPSET IN N+P DIODES
260		\|a نيويورك \|c 1995
300		\|a 1 - 175
336		\|a رسائل جامعية
502		\|b رسالة دكتوراه \|c Rensselaer Polytechnic Institute \|f The Graduate School \|g الولايات المتحدة الأمريكية \|o 0010
653		\|a الهندسة النووية \|a المحاكاة العددية \|a النمذجة \|a السيليكون
700		\|9 24090 \|a Block, R. C. \|e Super
856		\|u 9824-195-001-0010-T.pdf \|y صفحة العنوان
856		\|u 9824-195-001-0010-A.pdf \|y المستخلص
856		\|u 9824-195-001-0010-C.pdf \|y قائمة المحتويات
856		\|u 9824-195-001-0010-F.pdf \|y 24 صفحة الأولى
856		\|u 9824-195-001-0010-0.pdf \|y الفصل التمهيدي
856		\|u 9824-195-001-0010-1.pdf \|y 1 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-2.pdf \|y 2 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-3.pdf \|y 3 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-4.pdf \|y 4 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-5.pdf \|y 5 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-6.pdf \|y 6 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-7.pdf \|y 7 الفصل
856		\|u 9824-195-001-0010-R.pdf \|y المصادر والمراجع
856		\|u 9824-195-001-0010-S.pdf \|y الملاحق
930		\|d n
995		\|a +Dissertations
999		\|c 618793 \|d 618793