المصدر: | مجلة كلية التربية الأساسية |
---|---|
الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية |
المؤلف الرئيسي: | مزهر، صباح جميل (مؤلف) |
مؤلفين آخرين: | جياد، أسماء ستار (م. مشارك) |
المجلد/العدد: | ع80 |
محكمة: | نعم |
الدولة: |
العراق |
التاريخ الميلادي: |
2013
|
الصفحات: | 101 - 110 |
ISSN: |
8536-2706 |
رقم MD: | 637047 |
نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
قواعد المعلومات: | EduSearch |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
المستخلص: |
في هذا البحث تم تحضير كاشف ضوئي على نمط اتصال معدن - شبه موصل باستخدام طريقة التبخير الحراري في الفراغ لتبخير معدن النحاس النقي على الوجه الأملس لشرائح السليكون نوع (n) ومعدن الألمنيوم النقي على الوجه الخشن لهذه الشرائح وبسمك (100 A°) ولكلا الوجهين بعد استخدام طريقة التنميش الكيميائي لتنظيف شرائح السليكون. جرى تلدين النماذج في فرن حراري بوجود النتروجين وبدرجة حرارة (673 K) لمدة (15) دقيقة. تمت دراسة علاقة التيار الضوئي والاستجابية الطيفية والقدرة المكافئة للضوضاء والكفاءة الكمية والكفاءة الكمية النوعية للكاشف المحضر مع الطول الموجي الساقط بدرجة حرارة الغرفة لتحديد أفضل منطقة طيفية يمكن إن يعمل فيها هذا الكاشف وإمكانية استخدامه في التطبيقات الإلكترونية المناسبة. In this paper, Photo detector was prepared on the metal - semiconductor contact pattern by using thermal evaporation in vacuum to vaporize pure copper on the smooth face of (n) type silicon wafers and pure aluminum on the rough side of that wafers with (100 A°) thickness for both sides after using the chemical etching method for silicon slides. The samples were annealing in presence of nitrogen at (673 K) for (15) minutes. The relation of Photocurrent, Spectral Responsevity, Noise Equivalent Power, Quantum Efficiency and Specific Detectivity were studied with incident wavelength at room temperature to determine which best spectral region that detector can be work and could use in the appropriate electronic applications. |
---|---|
ISSN: |
8536-2706 |