ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تحضير و دراسة الخواص البصرية ل...>مارك

تحضير و دراسة الخواص البصرية لكاشف Cu-Si الضوئي

المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: مزهر، صباح جميل (مؤلف)
مؤلفين آخرين: جياد، أسماء ستار (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع80
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2013
الصفحات: 101 - 110
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 637047
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الكواشف الضوئية | خواص المعادن | التبخير الحراري
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 02912nam a22002057a 4500
001 0241890
044 |b العراق 
100 |9 314792  |a مزهر، صباح جميل  |e مؤلف 
245 |a تحضير و دراسة الخواص البصرية لكاشف Cu-Si الضوئي 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية  |c 2013 
300 |a 101 - 110 
336 |a بحوث ومقالات 
520 |a في هذا البحث تم تحضير كاشف ضوئي على نمط اتصال معدن - شبه موصل باستخدام طريقة التبخير الحراري في الفراغ لتبخير معدن النحاس النقي على الوجه الأملس لشرائح السليكون نوع (n) ومعدن الألمنيوم النقي على الوجه الخشن لهذه الشرائح وبسمك (100 A°) ولكلا الوجهين بعد استخدام طريقة التنميش الكيميائي لتنظيف شرائح السليكون. جرى تلدين النماذج في فرن حراري بوجود النتروجين وبدرجة حرارة (673 K) لمدة (15) دقيقة. تمت دراسة علاقة التيار الضوئي والاستجابية الطيفية والقدرة المكافئة للضوضاء والكفاءة الكمية والكفاءة الكمية النوعية للكاشف المحضر مع الطول الموجي الساقط بدرجة حرارة الغرفة لتحديد أفضل منطقة طيفية يمكن إن يعمل فيها هذا الكاشف وإمكانية استخدامه في التطبيقات الإلكترونية المناسبة.  |b In this paper, Photo detector was prepared on the metal - semiconductor contact pattern by using thermal evaporation in vacuum to vaporize pure copper on the smooth face of (n) type silicon wafers and pure aluminum on the rough side of that wafers with (100 A°) thickness for both sides after using the chemical etching method for silicon slides. The samples were annealing in presence of nitrogen at (673 K) for (15) minutes. The relation of Photocurrent, Spectral Responsevity, Noise Equivalent Power, Quantum Efficiency and Specific Detectivity were studied with incident wavelength at room temperature to determine which best spectral region that detector can be work and could use in the appropriate electronic applications. 
653 |a الكواشف الضوئية   |a خواص المعادن   |a التبخير الحراري  
700 |9 206274  |a جياد، أسماء ستار  |e م. مشارك 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 041  |e Journal of the Faculty of Basic Education  |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn  |l 080  |m ع80  |o 1156  |s مجلة كلية التربية الأساسية  |v 000  |x 8536-2706 
856 |u 1156-000-080-041.pdf 
930 |d n  |p y  |q y 
995 |a EduSearch 
999 |c 637047  |d 637047 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.