A new minimization technique of the error in short-channel mosfet circuits resulting from carrier mobility reduction

العنوان بلغة أخرى:	طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الالكترونات عير القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET
المؤلف الرئيسي:	As Sabban, Ibrahim Ali (auth)
مؤلفين آخرين:	Al Absi, Munir (advisor)
التاريخ الميلادي:	2013
موقع:	الظهران
الصفحات:	1 - 106
رقم MD:	738533
نوع المحتوى:	رسائل جامعية
اللغة:	الإنجليزية
الدرجة العلمية:	رسالة ماجستير
الجامعة:	جامعة الملك فهد للبترول والمعادن
الكلية:	عمادة الدراسات العليا
الدولة:	السعودية
قواعد المعلومات:	Dissertations
مواضيع:	الهندسة الكهربائية \| الدوائر الكهربائية \| موسفيت \| تقييم الأخطاء \| حركة الالكترونات
رابط المحتوى:	صفحة العنوان المستخلص قائمة المحتويات 24 صفحة الأولى الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

وصف العنصر:	ملخص باللغة العربية