ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







A new minimization technique of the error in short-channel mosfet circuits resulting from carrier mobility reduction

العنوان بلغة أخرى: طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الالكترونات عير القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET
المؤلف الرئيسي: As Sabban, Ibrahim Ali (auth)
مؤلفين آخرين: Al Absi, Munir (advisor)
التاريخ الميلادي: 2013
موقع: الظهران
الصفحات: 1 - 106
رقم MD: 738533
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: الإنجليزية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة الملك فهد للبترول والمعادن
الكلية: عمادة الدراسات العليا
الدولة: السعودية
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.

صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 01739nam a22003257a 4500
001 0297198
041 |a eng 
100 |9 387995  |a As Sabban, Ibrahim Ali  |e auth 
245 |a A new minimization technique of the error in short-channel mosfet circuits resulting from carrier mobility reduction 
246 |a طريقة جديدة لتقليل الخطأ الناجم عن تأثير حركة الالكترونات عير القناة في الدوائر الكهربائية والتي تستخدم ترانزستور قصير القناة من نوع MOSFET 
260 |a الظهران  |c 2013 
300 |a 1 - 106 
336 |a رسائل جامعية 
500 |a ملخص باللغة العربية 
502 |b رسالة ماجستير  |c جامعة الملك فهد للبترول والمعادن  |f عمادة الدراسات العليا  |g السعودية  |o 0661 
653 |a الهندسة الكهربائية  |a الدوائر الكهربائية  |a موسفيت  |a تقييم الأخطاء  |a حركة الالكترونات 
700 |9 8968  |a Al Absi, Munir  |e advisor 
856 |u 9800-005-009-0661-T.pdf  |y صفحة العنوان 
856 |u 9800-005-009-0661-A.pdf  |y المستخلص 
856 |u 9800-005-009-0661-C.pdf  |y قائمة المحتويات 
856 |u 9800-005-009-0661-F.pdf  |y 24 صفحة الأولى 
856 |u 9800-005-009-0661-1.pdf  |y 1 الفصل 
856 |u 9800-005-009-0661-2.pdf  |y 2 الفصل 
856 |u 9800-005-009-0661-3.pdf  |y 3 الفصل 
856 |u 9800-005-009-0661-O.pdf  |y الخاتمة 
856 |u 9800-005-009-0661-R.pdf  |y المصادر والمراجع 
856 |u 9800-005-009-0661-S.pdf  |y الملاحق 
930 |d n 
995 |a Dissertations 
999 |c 738533  |d 738533 

عناصر مشابهة