ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير درجة حرارة القاعدة على ا...>الوصف

تأثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية والانتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد النحاس الرقيقة

العنوان بلغة أخرى: The Effect of Substrate Temperature on the Structural Properties and Electronic transitions of Copper Oxide thin Films
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mishjil, Khudheir A.
مؤلفين آخرين: جاسم، أية عبدالكريم (م. مشارك) , عبود، زياد محمد (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع5
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2016
الصفحات: 1 - 20
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 826795
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
التحلل الكيميائي الحراري | أغشية أوكسيد النحاس | الكيمياء الفيزيائية | الانتقالات الإلكترونية | الكيمياء الحرارية
كلمات المؤلف المفتاحية:
الخصائص التركيبية والبصرية | اغشية اوكسيد النحاس | التحلل الكيميائي الحراري | Structural and Optical Properties | Copper Oxide Films | Chemical Spray Pyrolysis
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذه الدراسة تم ترسيب اغشية أوكسيد النحاس على قواعد ساخنة من الزجاج ذات درجات حرارة مختلفة K(٧٧٣،٧٢٣،٦٧٣،٦٢٣) بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ودرس تأثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية والانتقالات الإلكترونية للاغشية المحضرة حيث أظهرت نتائج فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الأحادي الميل وبالاتجاه السائد(111)، تزايد معدل حجم البلوريات من(12 nm) إلى (19 nm) مع زيادة درجة الحرارة كذلك أظهرت صور مجهر القوة الذرية (AFM) أن قيم معدل الحجم الحبيبي نزداد من (74.5 nm) إلى (99 nm) وكذلك أن قيم معدل خشونة السطح وقيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة (RMS) تزداد مع زيادة درجة الحرارة ماعدا قيمها عند درجة حرارهم (K723) ومن ملاحظة قيم معدل الحجم الحبيبي نستنتج ظهور بعض التراكيب النانوية للاغشية المحضرة. وتم حساب فجوة الطاقة البصرية للاننقالات الإلكترونية المباشر المسموح وقد وجد بأنها تقل من (2.11eV) إلى (2.01eV) بزيادة درجة الحرارة.في هذه الدراسة تم ترسيب اغشية أوكسيد النحاس على قواعد ساخنة من الزجاج ذات درجات حرارة مختلفة K(٧٧٣،٧٢٣،٦٧٣،٦٢٣) بطريقة التحلل الكيميائي الحراري ودرس تأثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية والانتقالات الإلكترونية للاغشية المحضرة حيث أظهرت نتائج فحوصات حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الأحادي الميل وبالاتجاه السائد(111)، تزايد معدل حجم البلوريات من(12 nm) إلى (19 nm) مع زيادة درجة الحرارة كذلك أظهرت صور مجهر القوة الذرية (AFM) أن قيم معدل الحجم الحبيبي نزداد من (74.5 nm) إلى (99 nm) وكذلك أن قيم معدل خشونة السطح وقيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة (RMS) تزداد مع زيادة درجة الحرارة ماعدا قيمها عند درجة حرارهم (K723) ومن ملاحظة قيم معدل الحجم الحبيبي نستنتج ظهور بعض التراكيب النانوية للاغشية المحضرة. وتم حساب فجوة الطاقة البصرية للاننقالات الإلكترونية المباشر المسموح وقد وجد بأنها تقل من (2.11eV) إلى (2.01eV) بزيادة درجة الحرارة.

In this Study, Copper oxide films were deposited on the glass substrates heated at different temperatures of (623,673,723,773)K by Spray Pyrolysis technique. The effect of substrate temperature on the structural properties and electronic transitions of the films was estimated. The XRD results showed that all the prepared films were polycrystalline, monoclinic crystal structure with a preferred orientation along (111). The average crystallite size was increased from (12nm) to (19nm) with increasing of substrate temperature, also atomic force microscope (AFM) images showed the grain size increased from (74.5nm) to (99) as well as the average surface roughness and root mean square value (RMS) of the films increased with increasing substrate temperature expect values at atemperature of (723K) from these results we conclude that these films have some nanostructure for transition was decrease from (2.11eV) to (2.01eV) by increasing substrate prepared films. and The optical energy gap for allowed direct electronic temperature.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.