ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > الخصائص التركيبية والانتقالات...>الوصف

الخصائص التركيبية والانتقالات الالكترونية لأغشية (SNO2) المشوبة بالنحاس (CU) والمحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عبود، محمود موفق (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع 3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2012
الصفحات: 225 - 237
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 425422
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الأغشية الرقيقة | التحلل الكيميائي الحراري | أغشية SNO2 | النحاس | المركبات الكيميائية | التطبيقات الالكترونية | الأشعة السينية | البلورة | فجوة الطاقة البصرية | الانتقال الالكتروني
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: حضرت أغشية ثنائي أوكسيد القصدير ( (SnO2غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب التشويب الحجمية %(7 ,5 ,3 ,1) بطريقة التحلل الكيميائي الحراري، على قواعد زجاجية بدرجة حرارة (773K)، وبمعدل رش (10ml/min)، وكان سمك الاغشية المحضرة بحدود (0.4±0.01)µm. أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية أن الأغشية المحضرة كافة كانت ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع الرباعي وبالاتجاه السائد (110)، وقد أدى التشويب إلى زيادة شدة الاتجاه (110) عن قيمته قبل التشويب لنسب التشويب كافة، بينما تناقص معدل الحجم الحبيبي بزيادة نسب التشويب بالنحاس مع تغير قليل في قيم ثوابت الشبيكة. تم حساب فجوة الطاقـة البصرية للانتقالات الالكترونية المباشرة وقد وجد بانها تقل بزيادة نسبة التشويب بالنحاس. \

Undoped and Cu-doped SnO2 with doping percentage of (1,3,5,7)% have been prepared by chemical spray pyrolysis method on a glass substrate at a temperature of (773K), with spray rate (10 ml/min), and the thickness of the prepared film about (0.4±0.01)µm. XRD analysis showed that all the films were polycrystalline in nature with a tetragonal structure and a preferred orientation along (110) plane, and the doping with (Cu) led to an increase in the intensity of (110) peak, while the average grain size was decreased with increasing (Cu) concentration, and slightly change was observed in lattice constants. The optical band gap for direct transition is decreased as the doping percentage increased. \
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.