Synthesis of Al/OPS/PS/Si/Al by RTO and its Detection Properties
| المصدر: | مجلة كلية التربية |
|---|---|
| الناشر: | الجامعة المستنصرية - كلية التربية |
| المؤلف الرئيسي: | Abid, Muslim A. (Author) |
| المجلد/العدد: | ع1 |
| محكمة: | نعم |
| الدولة: |
العراق |
| التاريخ الميلادي: |
2017
|
| الصفحات: | 129 - 138 |
| ISSN: |
1812-0380 |
| رقم MD: | 827058 |
| نوع المحتوى: | بحوث ومقالات |
| اللغة: | الإنجليزية |
| قواعد المعلومات: | EduSearch |
| مواضيع: | |
| كلمات المؤلف المفتاحية: |
Porous Silicon | Porous Silicon Oxide | Rapid-Thermal Oxidation | UV Photo Detector
|
| رابط المحتوى: |
الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها. |
| المستخلص: |
تم تحضير السليكون المسامي المؤكسد بطريقة التأكسد الحراري السريع للسليكون المسامي الذي حضر على شريحة من السليكون بشروط منتخبة. المسامية كانت تقريبا 65% وسمك الطبقة 8 مايكرومتر. التألق الضوئي للسليكون المسامي بين بأن له قمة عريضة عند 690 نانومتر (1.79 إلكترون فولت) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 130 نانومتر بينما قياسات التألق الضوئي بالنسبة إلى السليكون المسامي المؤكسد فبينت قمة عند 670 نانومتر (1.85 إلكترون فولت) مع أعلى شدة عند منتصف القمة 140 نانومتر. قياسات المقاومية للسليكون المسامي المؤكسد وللسليكون المسامي هي 95.8 و 18 كيلو أوم على التعاقب. زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي هو 9 ثانية وزمن الرجوع 6.5 ثانية بينما زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي المؤكسد هو 4 ثانية وزمن الرجوع 8 ثانية. كاشف السليكون المسامي المؤكسد اظهر كشفية عالية للأشعة فوق البنفسجية مع أو بدون انحياز. Porous silicon oxide (PSO) was prepared by rapid-thermal oxidization (RTO) of porous silicon that was formed on silicon substrate with optimum conditions. The porosity was approximately (65%) and layer thickness was (8μm). Photoluminescence (PL) observed a broad peak of porous silicon (PS) at 690 nm (1.79eV) with full width at half maximum (FWHM) of about 130 nm while the photoluminescence value of PSO located at 670 nm (1.85eV) with FWHM value of 140 nm. The lower values of resistances are 95.8 kΩ and 18kΩ of PSO and PS respectively. Response time of porous silicon detector about (9) second and the recovery time is about (6.5) second. The response time of UV detector for porous silicon oxide is (4) second and the recovery time about (8) second. The (PSO) sample exhibited high detection for incident ultra violet (UV) light with and without bios |
|---|---|
| ISSN: |
1812-0380 |
عناصر مشابهة
-
Fabrication and Characterization Of Porous Silicon Photodetector
بواسطة: الموسوى، حسن عبدالصاحب هادى منشور: (2012) -
Optical Properties of Amorphous a-Si:C:H Thin Films and Photo--Induced Structural Changes
بواسطة: Al Falahie, Ibrahim Jassim Abd Alleh منشور: (1992) -
Purification of Sand "SiO2" and Studying its Structural and Optical Properties
بواسطة: Abdelrazig, Murwan Dafallah Hamdalneil منشور: (2019) -
Synthesis and Characterization of some Metalions (II) Complexes of Poly vinyl alcohol and Studied some Physical Properties
بواسطة: Al-Hussam, Abdullah M منشور: (2019) -
ٍSynthesis and characterization of Some N-protected a-Amino-B-keto Esters complexes With Some Transition Metal Ions
بواسطة: Al Saraireh, Ibrahim A. منشور: (2005)
