المؤلف الرئيسي: | Abdelrazig, Murwan Dafallah Hamdalneil (Author) |
---|---|
مؤلفين آخرين: | مصطفى، الطيب موسى (مشرف) |
التاريخ الميلادي: |
2019
|
موقع: | الخرطوم |
الصفحات: | 1 - 26 |
رقم MD: | 1102415 |
نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
اللغة: | الإنجليزية |
الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
الجامعة: | جامعة النيلين |
الكلية: | كلية الدراسات العليا |
الدولة: | السودان |
قواعد المعلومات: | Dissertations |
مواضيع: | |
رابط المحتوى: |
المستخلص: |
في هذا البحث تمت دراسة الخصائص التركيبية والضوئية لأوكسيد السيليكون المحضر بالطريقة الحرارية ودرست الخصائص التركيبية والضوئية بواسطة جهاز حيود الأشعة السينية وجهاز التحليل الكمي الطيفي للأشعة تحت الحمراء وجهاز مطيافية الأشعة فوق البنفسجية والمرئية ووجد أن هنالك زيادة في فجوة الطاقة من 1.859 إلكترون فولت للعينة المفلترة إلى 1.894 إلكترون فولت للعينة غير المفلترة وكذلك نقصان في قيمة امتصاصية عينة أوكسيد السيليكون المفلترة ومعامل الامتصاصية ومعامل التوهين أما نتائج التحليل الكمي O-H، N-H، C-Br، C-o للعينة المفلترة بينما وجدت بالإضافة للروابط السابقة رابطة C-H للأشعة تحت الحمراء أظهرت روابط للعينة غير المفلترة. أما تحليل تشتت الأشعة السينية أعطى نتائج مثل حجم البلورة المحسوب عن طريق معادلة شيرر ومن النتائج السابقة يمكن استخدام العينات في الخلايا الشمسية. |
---|