ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Synthesis of Al/OPS/PS/Si/Al b...>الوصف
يجب تسجيل الدخول أولا

Synthesis of Al/OPS/PS/Si/Al by RTO and its Detection Properties

المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: Abid, Muslim A. (Author)
المجلد/العدد: ع1
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2017
الصفحات: 129 - 138
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 827058
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الأكسدة الحرارية | السيليكون المسامي | الأشعة فوق البنفسجية | الفيزياء الميكانيكية
كلمات المؤلف المفتاحية:
Porous Silicon | Porous Silicon Oxide | Rapid-Thermal Oxidation | UV Photo Detector
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير السليكون المسامي المؤكسد بطريقة التأكسد الحراري السريع للسليكون المسامي الذي حضر على شريحة من السليكون بشروط منتخبة. المسامية كانت تقريبا 65% وسمك الطبقة 8 مايكرومتر. التألق الضوئي للسليكون المسامي بين بأن له قمة عريضة عند 690 نانومتر (1.79 إلكترون فولت) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 130 نانومتر بينما قياسات التألق الضوئي بالنسبة إلى السليكون المسامي المؤكسد فبينت قمة عند 670 نانومتر (1.85 إلكترون فولت) مع أعلى شدة عند منتصف القمة 140 نانومتر. قياسات المقاومية للسليكون المسامي المؤكسد وللسليكون المسامي هي 95.8 و 18 كيلو أوم على التعاقب. زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي هو 9 ثانية وزمن الرجوع 6.5 ثانية بينما زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي المؤكسد هو 4 ثانية وزمن الرجوع 8 ثانية. كاشف السليكون المسامي المؤكسد اظهر كشفية عالية للأشعة فوق البنفسجية مع أو بدون انحياز.

Porous silicon oxide (PSO) was prepared by rapid-thermal oxidization (RTO) of porous silicon that was formed on silicon substrate with optimum conditions. The porosity was approximately (65%) and layer thickness was (8μm). Photoluminescence (PL) observed a broad peak of porous silicon (PS) at 690 nm (1.79eV) with full width at half maximum (FWHM) of about 130 nm while the photoluminescence value of PSO located at 670 nm (1.85eV) with FWHM value of 140 nm. The lower values of resistances are 95.8 kΩ and 18kΩ of PSO and PS respectively. Response time of porous silicon detector about (9) second and the recovery time is about (6.5) second. The response time of UV detector for porous silicon oxide is (4) second and the recovery time about (8) second. The (PSO) sample exhibited high detection for incident ultra violet (UV) light with and without bios
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.