ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > Effects of Annealing Temperatu...>الوصف

Effects of Annealing Temperature on the Photoluminescence Properties of Zro2 thin Films

المصدر: مجلة العلوم الإنسانية والتطبيقية
الناشر: الجامعة الأسمرية الإسلامية زليتن - كليتى الآداب والعلوم
المؤلف الرئيسي: Ali, Khaled Ibrahim (Author)
مؤلفين آخرين: Akaddar, Mohammad Rajab (Co-Author)
المجلد/العدد: ع29
محكمة: نعم
الدولة: ليبيا
التاريخ الميلادي: 2016
الشهر: ديسمبر
الصفحات: 103 - 112
رقم MD: 829533
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: HumanIndex
مواضيع:
درجة الحرارة | الاستقرار الحراري | الموصلات الحرارية | مادة السيراميك
كلمات المؤلف المفتاحية:
Photoluminescence | Zirconium | Thin film | Annealing
رابط المحتوى:
PDF (صورة)     
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

6

حفظ في:
المستخلص: This work aims to describe the photoluminescence (PL) of zirconium oxide (ZrO2) thin films synthesized using anodization method. ZrO2 thin film are annealed at different temperatures (200,400, and 600 oC). PL excitation and emission spectra were also recorded and investigated. When the material was excited by different wavelengths, several emission bands were observed in the range of 300-500nm. The increase of PL intensity with elevation of annealing temperature is related to reduction of OH groups, increase in the crystallinity and reduction in the non-radiative related defects. The luminescence dependence on defects in the film makes it suitable for luminescent.

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.