ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > تأثير سمك أغشية أوكسيد الأنديو...>مارك

تأثير سمك أغشية أوكسيد الأنديوم على الاستجابة الطيفية للخلايا الشمسية السلكونية

المصدر: مجلة كلية التربية الأساسية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: محمد، سارية ذياب (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عبدالمجيد، إقبال (م. مشارك) , مجيد، لبنى رشيد (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع77
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2013
الصفحات: 645 - 660
ISSN: 8536-2706
رقم MD: 863511
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
الخلايا الشمسية | أوكسيد الأنديوم | الأكسدة
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 03486nam a22002417a 4500
001 1615725
041 |a ara 
044 |b العراق 
100 |9 465165  |a محمد، سارية ذياب  |e مؤلف 
245 |a تأثير سمك أغشية أوكسيد الأنديوم على الاستجابة الطيفية للخلايا الشمسية السلكونية 
260 |b الجامعة المستنصرية - كلية التربية الأساسية  |c 2013 
300 |a 645 - 660 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |a يتناول هذا البحث تأثير اغشيه In203 المرسب على سطح الخلايا الشمسية السلكونية مفرق p-n كطلاء مضاد للانعكاس على كفائة الخلية الشمسية السلكونية وعلى الخواص الكشفية، تم تحضير غشاء الانديوم بطريقة التبخير الحراري ثم أكسدته بتقنية الأكسدة الحرارية السريعة RTO، وباسماك مختلفة (106- 200- 350- 500nm)، ضمن درجات حرارة أكسدة مختلفة تتراوح (350- 400- 450C). تبين من قياسات تيار الدائرة القصيرة- وفولتية الدائرة المفتوحة تحسن ملحوظ في كفاءة التحويل للخلية الشمسية بعد طلائها بغشاء In203 آذ كانت (3.95%) قبل الطلاء وأصبحت (10.95%) عند ترسيب غشاء لسمك 500 nm ولدرجة حرارة الأكسدة 450C. وقد تم خلال البحث دراسة الخواص الكشفية إذ كانت قمة الإستجابية الطيفية عند الطول الموجي 800 nm هي (0.126 A/W) قبل الطلاء وقد تحسنت بعد الطلاء وأصبحت (0.45 A/W) عند نفس الطول الموجي أما الكفاءة الكمية فكانت (1.95%) قبل الطلاء وأصبحت (7%) بعد الطلاء للسمك 500 nm ودرجة حرارة أكسدة .450C 
520 |b In this work, effect films thickness (106- 200- 350- 500nm) of In203 deposited onto the p-n junction's silicon solar cells, as antireflection coatings by rapid thermal oxidation at different a range of oxidation temperature up to (350- 400- 450C) on .The measurement of the short circuit current-open circuit voltage show improved with conversion efficiency of the p-n junction solar cell after coating by ln203 film 500nm thickness and oxidation temperature (3.95%) before coating it became (10.95%) after coating by at 450C° oxidation temperature .And through the study of the detectives properties ,the maximum spectral response at the wave length 800nm was (00126A/W) before the coating improved after coating it became (0045AAV) ,at the same wavelength, as for the Quantum efficiency ,it was (1.95%) before the coating became (7%) by In203 film 500nm thickness at 450C° oxidation temperature. 
653 |a الخلايا الشمسية  |a أوكسيد الأنديوم  |a الأكسدة 
700 |9 465166  |a عبدالمجيد، إقبال  |e م. مشارك 
700 |9 305969  |a مجيد، لبنى رشيد  |e م. مشارك 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 025  |e Journal of the Faculty of Basic Education  |f Maǧallaẗ kulliyyaẗ al-muʻallimīn  |l 077  |m ع77  |o 1156  |s مجلة كلية التربية الأساسية  |v 000  |x 8536-2706 
856 |u 1156-000-077-025.pdf 
930 |d n  |p y 
995 |a EduSearch 
999 |c 863511  |d 863511 

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.