ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > الخصائص التركيبية لأغشية ZnO ا...>الوصف

الخصائص التركيبية لأغشية ZnO الرقيقة المشوبة بالانديوم بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

العنوان بلغة أخرى: Structural Properties of ZnO Films Doped with Indium by Chemical Spray Pyrolysis
المصدر: مجلة كلية التربية
الناشر: الجامعة المستنصرية - كلية التربية
المؤلف الرئيسي: مشجل، خضير عباس (مؤلف)
المؤلف الرئيسي (الإنجليزية): Mishjil, Khudheir A.
مؤلفين آخرين: عباس، رشا صلاح (م. مشارك)
المجلد/العدد: ع3
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2017
الصفحات: 193 - 208
ISSN: 1812-0380
رقم MD: 884482
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
التحلل الكيميائي الحراري | الخصائص الكيميائية | الاشعة السينية
كلمات المؤلف المفتاحية:
الخصائص التركيبية | أغشية ZnO:In | التحلل الكيميائي الحراري | Structural Properties | ZnO:In Films | Chemical Spray Pyrolysis
رابط المحتوى:

الناشر لهذه المادة لم يسمح بإتاحتها.
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: تم تحضير أغشية أوكسيد الخارصين (ZnO) غير المشوبة والمشوبة بالانديوم (ZnO:In ) وبنسب تشويب (7,5,3,1) % باستخدام طريقة التحلل الكيميائي الحراري على قواعد زجاجية وبدرجة حرارة (400 ͦ C) وقد كان سمك الأغشية المحضرة (300±25) nm. حيث تم تشخيص طبيعة تبلور الأغشية المحضرة وذلك عن طريق دراسة نمط حيود الأشعة السينية، إذ تبين أن الأغشية المحضرة المشوبة وغير المشوبة تمتلك تركيب متعدد التبلور من النوع السداسي، والاتجاه السائد (101) للأغشية غير المشوبة والمشوبة بالانديوم وبنسب تشويب (1,3) % ويتغير الاتجاه السائد فيصبح (002) عند نسب التشويب (7,5) % وأيضا تبين أن معدل حجم البلوريات يقل مع زيادة نسب التشويب (37.3 – 8.5) nm.. من صور (AFM) هناك اختلاف في طبيعة سطوح الأغشية المحضرة وان قيم معدل الحجم الحبيبي يقل مع زيادة نسب التشويب كافة (104.57 – 87.99) nm وقد لوحظ اختلاف في طبيعة السطوح المحضرة من خلال صور المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) ومن خلال تقنية ((EDS تم التعرف على المواد الداخلة في الأغشية المحضرة.

Undoped Zinc Oxide and Indium doped Zinc Oxide with different doping percentage (1,3,5,7)% by chemical spray pyrolysis have been deposited on aglass substrate temperature (400 ͦ C) , The thickness of the prepared films were (300±25) nm. The nature of Structure was examined by X-ray diffraction technique. It was found that. The prepared undoped ZnO and In doped ZnO have a hexagonal polycrystalline structure . With aprefered Orientation along (101) for the undoped and In doped ZnO with doping percentage (1,3)% . The preferred orientation was changed to be (002) for the doping percentage (5,7)% . Also it was found that the average crystallite size decrease as the increase in doping percentage (37.3 – 8.5) nm. AFM images confirm that there is adifference in the nature of film surfaces and the average grain size decrease with the increase of doping percentage (104.57 – 87.99) nm . It was noticed there is avariation in nature of film surface through the images of Scanning electron microscope . From the EDS it has been identified.
ISSN: 1812-0380

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.