ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







دراسة الخصائص الضوئية لبلورات (Si,Ge,SiC,GeC,SiC)

المؤلف الرئيسي: عوينات، بشيرة (مؤلف)
مؤلفين آخرين: عيادي، كمال الدين (مشرف)
التاريخ الميلادي: 2016
موقع: ورقلة
الصفحات: 1 - 56
رقم MD: 944060
نوع المحتوى: رسائل جامعية
اللغة: العربية
الدرجة العلمية: رسالة ماجستير
الجامعة: جامعة قاصدي مرباح - ورقلة
الكلية: كلية الرياضيات وعلوم المادة
الدولة: الجزائر
قواعد المعلومات: Dissertations
مواضيع:
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

17

حفظ في:
المستخلص: قمنا في هذا العمل بدراسة الخصائص الضوئية (معامل الامتصاص، قرينة الانكسار، الانعكاسية) وبنية عصابات الطاقة لبلورات (Si, Ge, SiC, GeC, SiGe) وذلك لما لها من أهمية بالغة واستعمال واسع في مجال الإلكترونيات والإلكترونيات الضوئية. وللحساب استعملنا المحاكاة العددية وذلك عن طريق برنامج SIESTA ونظرية الكثافة التابعية DFT باستخدام تقريب التدرج المعمم GGA والكمون الزائف. النتائج المتحصل عليها قريبة جدا من نتائج الدراسات النظرية والتجريبية السابقة.