دراسة الخصائص الضوئية لبلورات (Si,Ge,SiC,GeC,SiC)
| المؤلف الرئيسي: | عوينات، بشيرة (مؤلف) |
|---|---|
| مؤلفين آخرين: | عيادي، كمال الدين (مشرف) |
| التاريخ الميلادي: |
2016
|
| موقع: | ورقلة |
| الصفحات: | 1 - 56 |
| رقم MD: | 944060 |
| نوع المحتوى: | رسائل جامعية |
| اللغة: | العربية |
| الدرجة العلمية: | رسالة ماجستير |
| الجامعة: | جامعة قاصدي مرباح - ورقلة |
| الكلية: | كلية الرياضيات وعلوم المادة |
| الدولة: | الجزائر |
| قواعد المعلومات: | Dissertations |
| مواضيع: | |
| رابط المحتوى: |
عدد مرات التحميل
17
| LEADER | 02106nam a22003017a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 1496786 | ||
| 041 | |a ara | ||
| 100 | |9 507303 |a عوينات، بشيرة |e مؤلف | ||
| 245 | |a دراسة الخصائص الضوئية لبلورات (Si,Ge,SiC,GeC,SiC) | ||
| 260 | |a ورقلة |c 2016 | ||
| 300 | |a 1 - 56 | ||
| 336 | |a رسائل جامعية | ||
| 502 | |b رسالة ماجستير |c جامعة قاصدي مرباح - ورقلة |f كلية الرياضيات وعلوم المادة |g الجزائر |o 0126 | ||
| 520 | |a قمنا في هذا العمل بدراسة الخصائص الضوئية (معامل الامتصاص، قرينة الانكسار، الانعكاسية) وبنية عصابات الطاقة لبلورات (Si, Ge, SiC, GeC, SiGe) وذلك لما لها من أهمية بالغة واستعمال واسع في مجال الإلكترونيات والإلكترونيات الضوئية. وللحساب استعملنا المحاكاة العددية وذلك عن طريق برنامج SIESTA ونظرية الكثافة التابعية DFT باستخدام تقريب التدرج المعمم GGA والكمون الزائف. النتائج المتحصل عليها قريبة جدا من نتائج الدراسات النظرية والتجريبية السابقة. | ||
| 653 | |a البلورات |a الخصائص الضوئية |a قرينة الانكسار |a الإلكترونيات الضوئية | ||
| 700 | |a عيادي، كمال الدين |e مشرف |9 503462 | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-T.pdf |y صفحة العنوان | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-A.pdf |y المستخلص | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-C.pdf |y قائمة المحتويات | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-F.pdf |y 24 صفحة الأولى | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-1.pdf |y 1 الفصل | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-2.pdf |y 2 الفصل | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-3.pdf |y 3 الفصل | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-O.pdf |y الخاتمة | ||
| 856 | |u 9815-058-004-0126-R.pdf |y المصادر والمراجع | ||
| 930 | |d y | ||
| 995 | |a Dissertations | ||
| 999 | |c 944060 |d 944060 | ||
عناصر مشابهة
-
Effect of Ag2O Nanosheets Thickness on the Performance of Al / GeO2 / Ag2O / GeO2 / C Multifunctional Electronic Devices
بواسطة: قصراوي، عاطف فايز منشور: (2023) -
Étude et Simulation de la Propagation des Ondes Électromagnétiques dans les Guides à Cristaux Photoniques
بواسطة: Halassa, Oualid منشور: (2018) -
مساهمة في دراسة الطبقات الرقيقة للخلايا الشمسية a-Si:H و a-Si المرسبة بتقنية PECVD
بواسطة: ميموني، إيمان منشور: (2016) -
دراسة نظرية لخصائص عناقيد Ge وGe المطعمة "B, As, Ru, Rh"
بواسطة: بن عيدة، مريم منشور: (2021) -
Optical Properties of Amorphous a-Si:C:H Thin Films and Photo--Induced Structural Changes
بواسطة: Al Falahie, Ibrahim Jassim Abd Alleh منشور: (1992)
