ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







الرئيسية > دراسة ليزرات التغذية الراجعة ت...>الوصف

دراسة ليزرات التغذية الراجعة تحت الحقن الضوئي المضاعف ذي الشدة العالية

المصدر: الثقافة والتنمية
الناشر: جمعية الثقافة من أجل التنمية
المؤلف الرئيسي: البقمي، محمد بن مسحل بن صائل (مؤلف)
المجلد/العدد: س19, ع136
محكمة: نعم
الدولة: مصر
التاريخ الميلادي: 2019
الشهر: يناير
الصفحات: 227 - 246
ISSN: 2356-9646
رقم MD: 958393
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: العربية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
ليزرات أشباه الموصلات | الحقن الضوئي
رابط المحتوى:
PDF (صورة)     
صورة الغلاف QR قانون

عدد مرات التحميل

11

حفظ في:
المستخلص: في هذا البحث تمت دراسة سلوكيات ليزر أشباه موصلات (ذي التغذية الراجعة الموزعة) عندما يخضع للحقن الضوئي المضاعف (ليزرين)، وعند مستويات قدرة عالية نسبيا، حيث تم حقن الليزر بليزر أحادي عند مستويات قدرة عالية، قبل أن يخضع الليزر للحقن المضاعف عند مستويات القدرة العالية أيضا. وقد توصلنا من خلال هذه الدراسة إلى أن حقن الليزر بأكثر من إشارة ضوئية عند مستويات حقن عالية يعمل كأداة جيدة للتحكم في خريطة الاستقرارية لليزر إذ تؤدي هذه العملية إلى زيادة الفوضى في النظام الليزرى وذلك يفيد كثيرا في عملية التشفير في مجال الاتصالات.

In this, study, a semiconductor, (Distributed 1 Feedback DFB) laser behaviors were studied under the injection of dual laser beam at relatively high power levels. Firstly, the laser was fully characterized before it was subjected to single optical injection at r low power. The dual optical injection then took place at high A injection power. We demonstrate from this study that injection of the laser with more than a light signal at high injection levels' works as a good tool for controlling the stability map, as this process will lead to increased chaos in the laser system and serve many in the cryptography process in the field of communications.
ISSN: 2356-9646

عناصر مشابهة


© 2024 المنظومة. جميع الحقوق محفوظة.