| LEADER |
02585nam a22002177a 4500 |
| 001 |
1702837 |
| 041 |
|
|
|a ara
|
| 044 |
|
|
|b مصر
|
| 100 |
|
|
|a البقمي، محمد بن مسحل بن صائل
|g Albaqmi, Mohammed bin Mashal bin Sael
|e مؤلف
|9 515605
|
| 245 |
|
|
|a دراسة ليزرات التغذية الراجعة تحت الحقن الضوئي المضاعف ذي الشدة العالية
|
| 260 |
|
|
|b جمعية الثقافة من أجل التنمية
|c 2019
|g يناير
|
| 300 |
|
|
|a 227 - 246
|
| 336 |
|
|
|a بحوث ومقالات
|b Article
|
| 520 |
|
|
|a في هذا البحث تمت دراسة سلوكيات ليزر أشباه موصلات (ذي التغذية الراجعة الموزعة) عندما يخضع للحقن الضوئي المضاعف (ليزرين)، وعند مستويات قدرة عالية نسبيا، حيث تم حقن الليزر بليزر أحادي عند مستويات قدرة عالية، قبل أن يخضع الليزر للحقن المضاعف عند مستويات القدرة العالية أيضا. وقد توصلنا من خلال هذه الدراسة إلى أن حقن الليزر بأكثر من إشارة ضوئية عند مستويات حقن عالية يعمل كأداة جيدة للتحكم في خريطة الاستقرارية لليزر إذ تؤدي هذه العملية إلى زيادة الفوضى في النظام الليزرى وذلك يفيد كثيرا في عملية التشفير في مجال الاتصالات.
|
| 520 |
|
|
|b In this, study, a semiconductor, (Distributed 1 Feedback DFB) laser behaviors were studied under the injection of dual laser beam at relatively high power levels. Firstly, the laser was fully characterized before it was subjected to single optical injection at r low power. The dual optical injection then took place at high A injection power. We demonstrate from this study that injection of the laser with more than a light signal at high injection levels' works as a good tool for controlling the stability map, as this process will lead to increased chaos in the laser system and serve many in the cryptography process in the field of communications.
|
| 653 |
|
|
|a ليزرات أشباه الموصلات
|a الحقن الضوئي
|
| 773 |
|
|
|4 التربية والتعليم
|6 Education & Educational Research
|c 006
|e Culture & Development
|f Mağallaẗ al-ṯaqāfaẗ wa Al-Tanmiyyaẗ
|l 136
|m س19, ع136
|o 0071
|s الثقافة والتنمية
|v 019
|x 2356-9646
|
| 856 |
|
|
|u 0071-019-136-006.pdf
|
| 930 |
|
|
|d y
|p y
|q n
|
| 995 |
|
|
|a EduSearch
|
| 999 |
|
|
|c 958393
|d 958393
|
