ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Study the Surface Characterization of Anodic Grow SiO2 Nano Film on Si by Using AFM

المصدر: مجلة أبحاث كلية التربية الأساسية
الناشر: جامعة الموصل - كلية التربية الأساسية
المؤلف الرئيسي: Issa, Assim A. (Author)
المجلد/العدد: مج14, ع4
محكمة: نعم
الدولة: العراق
التاريخ الميلادي: 2018
الصفحات: 511 - 531
ISSN: 1992-7452
رقم MD: 943257
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
كلمات المؤلف المفتاحية:
AFM | SiO2 Nano Film | Nanotopography of SiO2 Film
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
المستخلص: في هذا العمل تم دراسة خصائص السطح النانوي لغشاء SiO2 ذي سمك بحدود (2.3- 11.5) nm باستخدام المجهر القوة الذرية . تم أنماء غشاء نانوي من SiO2 على أرضية Si (100) نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول (%75H2O + %25 isopropanol) بوجود 0.1 N KNO3 كالكتروليت مساعد. ولوحظ من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام (EDAX) وجود عنصر الأوكسجين (O) وعنصر السليكون (Si). وكذلك لوحظ أن سمك الاوكسيد SiO2 يزداد بزيادة جهد الإنماء. تم استخدام تقنية AFM لدراسة طوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 . لقد وجد أن كل من الخصائص التالية، طوبغرافية النانوية لغشاءSiO2 النانوي، معدل خشونة، مساحة الحبيبة، حجم الحبيبة وأخيرا طول الحبيبة تزداد مع زيادة سمك SiO2 النانوي.

In this work studied The surface characterization of SiO2 nano film in the thickness range (2.3- 11.5) nm by using atomic force microscopy. SiO2 nano film growth on Silicon (100) p-type substrates, by using the anodic oxidation technique using (%75H2O +%25 isopropanol) solution containing 0.1N KNO3 as supporting electrolyte. The chemical analysis of the surface of SiO2 has been done by (EDAX) shows the presence of O and Si elements, The films thickness has been found that is increases as formation potential increases. The (AFM) is used to study the nanotopography of SiO2 film. However, it has been found that all of the following characteristics, the nanotopography of the SiO2 nano film, root mean square RMS surface roughness of the SiO2 nano film, grain area, grain volume and grain length increases with the increase of SiO2 nano thickness.

ISSN: 1992-7452