ارسل ملاحظاتك

ارسل ملاحظاتك لنا







Influence of Annealing and Hydrogen Content on Structural and Optoelectronic Properties of Nano-Multilayers of "A-Si:H/A-Ge: H" Used in Solar Cells

المصدر: مجلة التربوي
الناشر: جامعة المرقب - كلية التربية بالخمس
المؤلف الرئيسي: Saleh, Ibrahim A. (Author)
مؤلفين آخرين: Tarek, M. Fayez (Co-Author) , Ahmed, Mustafah M. A. (Co-Author)
المجلد/العدد: ع19
محكمة: نعم
الدولة: ليبيا
التاريخ الميلادي: 2021
الشهر: يوليو
الصفحات: 398 - 409
ISSN: 2011-421X
رقم MD: 1166285
نوع المحتوى: بحوث ومقالات
اللغة: الإنجليزية
قواعد المعلومات: EduSearch
مواضيع:
كلمات المؤلف المفتاحية:
Nano-Multilayers "NMLs" | A-Si:H/A-Ge: H | Structure | Electrical Conductivity | Crystallization | Avrami's Equation
رابط المحتوى:
صورة الغلاف QR قانون
حفظ في:
LEADER 02109nam a22002417a 4500
001 1910100
041 |a eng 
044 |b ليبيا 
100 |a Saleh, Ibrahim A.  |e Author  |9 625030 
245 |a Influence of Annealing and Hydrogen Content on Structural and Optoelectronic Properties of Nano-Multilayers of "A-Si:H/A-Ge: H" Used in Solar Cells 
260 |b جامعة المرقب - كلية التربية بالخمس  |c 2021  |g يوليو 
300 |a 398 - 409 
336 |a بحوث ومقالات  |b Article 
520 |b Nano-multilayers (NMLs) of a-Si:H/a-Ge: H were prepared at 200◦C by alternating deposition from SiH4 and GeH4 plasmas in a computer-controlled four chamber glow-discharge deposition system with capacitive coupled diode reactors. IR spectroscopy and scanning electron microscope (SEM) were used to study the structural changes after annealing at 300 and 450oC for 8 h. The annealed multilayers exhibit surface and bulk degradation with formation of bumps and craters. The electrical measurements results reveal that the increase of electrical conductivity, while optical energy gap is decreased with increasing the annealing temperature and/or time is partially due to formation of H bubbles in the Ge layers and partially due to crystallization effects. On the other hand it was found that the activation energy of crystallization deduced from the annealing time dependence of the conductivity using Avrami's equation is structural dependent. 
653 |a تكنولوجيا النانو  |a الخلايا الشمسية  |a الفيزياء النووية  |a الطاقة الكهربائية 
692 |b Nano-Multilayers "NMLs"  |b A-Si:H/A-Ge: H  |b Structure  |b Electrical Conductivity  |b Crystallization  |b Avrami's Equation 
700 |9 625032  |a Tarek, M. Fayez  |e Co-Author 
700 |9 625035  |a Ahmed, Mustafah M. A.  |e Co-Author 
773 |4 التربية والتعليم  |6 Education & Educational Research  |c 025  |l 019  |m ع19  |o 1568  |s مجلة التربوي  |t Educational Journal  |v 000  |x 2011-421X 
856 |u 1568-000-019-025.pdf 
930 |d y  |p y  |q n 
995 |a EduSearch 
999 |c 1166285  |d 1166285